[发明专利]镁合金表面电沉积缓蚀剂阴离子插层水滑石膜的方法

权利要求书

1.一种镁合金表面电沉积缓蚀剂阴离子插层水滑石膜的方法，其特征是：在三电极体系中，以含有缓蚀性阴离子插层水滑石的溶液为电解液，以镁合金为工作电极、铂片为对电极、室温下通入N₂、电解液pH值为4.5～8.5、扫描速率为5～30mV/s、扫描次数为5～15次，在镁合金表面通过电沉积法形成水滑石膜；所述的含有缓蚀性阴离子插层水滑石的电解液的制备方法为：称取1.0～5.0g纳米尺度的缓蚀剂阴离子插层水滑石加入到100mL的去离子水中，超声分散30min，制成水滑石悬浮液，在水滑石悬浮液中，再加入微量的MCl₂或MCl₃，Cl^-的摩尔浓度为0.002～0.01mol/L、M为对应水滑石主体层板的+2价或+3价金属离子，加入缓蚀剂阴离子的钠盐，缓蚀剂阴离子的摩尔浓度为0.005～0.01mol/L。

2.根据权利要求1所述的镁合金表面电沉积缓蚀剂阴离子插层水滑石膜的方法，其特征是：所述的纳米尺度的缓蚀剂阴离子插层水滑石是采用这样的方法制备的：室温下，将+2价和+3价金属离子的可溶性硝酸盐，用蒸馏水配制成水溶液，+2价和+3价金属离子的摩尔比为1.8～2.2；将欲插入水滑石层间的阴离子的钠盐溶液加入容器中，再将+2价和+3价金属离子的可溶性硝酸盐溶液和NaOH溶液或氨水同时滴入容器中，控制悬浮液的pH值范围为9.0～10.5，阴离子和+3价金属离子的摩尔比为1.5～2.0；在N₂保护下继续恒温反应10h，然后于室温下放置12h，过滤，蒸馏水洗涤滤饼至中性，80℃干燥，充分研磨。

3.根据权利要求2所述的镁合金表面电沉积缓蚀剂阴离子插层水滑石膜的方法，其特征是：所述的+2价金属离子为Mg²⁺、Zn²⁺、Ni²⁺、Ce²⁺或Fe²⁺中的一种；所述的+3价金属离子为Al³⁺、Cr³⁺、Ce³⁺、Fe³⁺或Ti³⁺中的一种。

4.根据权利要求3镁合金表面电沉积缓蚀剂阴离子插层水滑石膜的方法，其特征是：所述的欲插入水滑石层间的阴离子是VO₃^-/V₁₀O₂₈^6-、MoO₄^2-/Mo₇O₂₄^6-、WO₄^2-、CrO₄^2-或磷钼酸根。