[发明专利]能量管通环在水处理防垢上的应用及能量管通环的制法无效

专利信息
申请号: 200910072500.5 申请日: 2009-07-11
公开(公告)号: CN101602549A 公开(公告)日: 2009-12-16
发明(设计)人: 陈谊;王忠心;李铁章;肖强;石玉森;邵德庭 申请(专利权)人: 李铁章
主分类号: C02F5/00 分类号: C02F5/00;C04B35/14;C04B35/622
代理公司: 大庆知文知识产权代理有限公司 代理人: 张海霞
地址: 163457黑龙江省大庆市*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 能量 管通环 水处理 防垢上 应用 制法
【说明书】:

技术领域:

发明涉及一种水处理防垢方法,特别涉及一种能量管通环在水处理防垢上的应用及能量管通环的制法。

背景技术:

目前常用且有效的物理水处理防垢方法一般为用磁场、电场法,其最大的优势是不使用化学药剂,因而对环境无任何污染。这类防垢方法的投资少,占地面积小,基本不用人维护,运行费用低廉。最大的缺点是防垢能力有一定时限,超过了这个时限就完全消失防垢能力。此外,还必须遵循一定的使用方法,有一定的使用范围,不符合有关规定也使防垢作用受影响,甚至无防垢作用。

发明内容:

本发明所要解决的技术问题是克服背景技术中存在的用磁场、电场法水处理防垢能力有一定时限,超过了这个时限就完全消失防垢能力的问题,而提供一种能量管通环在水处理防垢上的应用,该能量管通环依据纳米材料在不需任何外力的情况下吸收发射电磁波及使水分子活化细微化的这一特性,具有防垢效果稳定且可长期使用的特点;此外本发明另一个要解决的技术问题是还要提供一种能量管通环的制法。

本发明解决其问题可通过如下技术方案来达到:该能量管通环在水处理防垢上的应用,所述的能量管通环套于管道外壁用于水处理防垢,能量管通环由下列原料制得:原料的组分按重量百分比计算:陶器原料50%~75%,助剂复方25%~50%,所述的助剂复方组分及各组分占助剂复方的重量百分比如下:氧化锆30~40%,二氧化硅40~55%,三氧化二铝6~20%,三氧化二铁3~16%,氧化钙1~10%,氧化镁1~4%;所述的助剂复方各组分平均粒径20~30nm,比表面积40~60m2/g。

所述的能量管通环为完整通环状、为1/2环状、1/3环状或1/4环状。

所述的能量管通环的制法,包括下列步骤:将所述的陶器原料、助剂复方按重量配比,按陶瓷常规加工设备和工艺进行加工,研磨、过筛、制浆料、注浆施釉于陶瓷胚体,在烧结炉内1200~1580℃下煅烧2~3小时,自然冷却至室温。

本发明与上述背景技术相比较可具有如下有益效果:该能量管通环,全波长辐射率值大于0.95,超强远红外线波,直接安装在水管外壁,在不需任何外力的情况下高吸收电磁波,释放超强远红外线,具有超强的渗透力和辐射力、共振转换能力,能瞬间改变水管中流水的水分子的立体结构,使水分子活化细微化,水的密度增加,溶解度增高,水分子间隙变大,溶质容易嵌入构成水合分子,从而防止了水垢生成;本发明产品处理后的细微化水分子可以渗透进水垢与管内壁的结合部位,起到一定的冲刷效果,造成管内壁上的水垢脱落,还达到了防止或减缓管内壁腐蚀的作用;本发明产品处理后的细微水分子能在管内壁上形成一层膜,使藻类的生存环境遭到破坏,可以起到杀菌灭藻作用;本发明产品处理后的水在没有外来水汽的直接影响下,可以较长时间保持其活性细微化。

附图说明:

附图1是本发明的结构示意图;

附图2是本发明的两个1/2环连接固定为一体的能量管通环结构示意图;

附图3是本发明的三个1/3环连接固定为一体的能量管通环结构示意图;

附图4是本发明的四个1/4环连接固定为一体的能量管通环结构示意图。

图中:1-管道,2-能量管通环。

具体实施方式:

下面将结合实施例对本发明作进一步说明:

如附图1所示,一种能量管通环在水处理防垢上的应用,所述的能量管通环2套于管道1外壁用于水处理防垢,能量管通环2由下列原料制得:原料的组分按重量百分比计算:陶器原料50%~75%,助剂复方25%~50%,所述陶器原料为一般常规成分,无特殊要求,所述的助剂复方组分及各组分占助剂复方的重量百分比如下:氧化锆30~40%,二氧化硅40~55%,三氧化二铝6~20%,三氧化二铁3~16%,氧化钙1~10%,氧化镁1~4%;所述的助剂复方各组分平均粒径20~30nm,比表面积40~60m2/g;该助剂复方各组分具有高吸收电磁波,产生吸收峰等离子的共振频移,具有特殊的吸收发射红外线能力。

所述能量管通环2为完整通环状、1/2环状、1/3环状或1/4环状。

所述的能量管通环的制法,包括下列步骤:将所述的陶器原料、助剂复方按重量配比,按陶瓷常规加工设备和工艺进行加工,研磨、过筛、制浆料、注浆施釉于陶瓷胚体,在烧结炉内1200~1580℃下煅烧2~3小时,自然冷却至室温;所述的陶瓷胚体为完整环状、1/2环状、1/3环状或1/4环状。

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