[发明专利]一种高质量塑料瓶内壁阻隔薄膜的制备装置及其制备方法无效
申请号: | 200910072573.4 | 申请日: | 2009-07-23 |
公开(公告)号: | CN101613857A | 公开(公告)日: | 2009-12-30 |
发明(设计)人: | 田修波;李景;杨士勤 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | C23C16/517 | 分类号: | C23C16/517;C23C16/26;C08J7/06 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人: | 金永焕 |
地址: | 150001黑龙江*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 质量 塑料瓶 内壁 阻隔 薄膜 制备 装置 及其 方法 | ||
1、高质量塑料瓶内壁阻隔薄膜的制备装置,它由带有金属塞的绝缘接头(1)、抽真空部件(2)、绝缘体(3)、上部真空罩(5)、下部真空罩(6)、导电进气管(7)和偏压/高频复合等离子体电源(8)组成;其特征在于带有金属塞的绝缘接头(1)安装在抽真空部件(2)上端面并采用螺纹连接同时用O型圈密封,抽真空部件(2)与上部真空罩(5)通过绝缘体(3)螺纹连接同时用O型圈密封,下部真空罩(6)靠气动方式压在上部真空罩(5)上并用O型圈密封,抽真空部件(2)、绝缘体(3)、上部真空罩(5)和下部真空罩(6)之间形成真空室(9),导电进气管(7)由带有金属塞的绝缘接头(1)伸入真空室(9)内且底端位于上部真空罩(5)的下部,偏压/高频复合等离子体电源(8)的功率输出端接上部真空罩(5)和下部真空罩(6),接地端接导电进气管(7)和抽真空部件(2)。
2、采用权利要求1所述装置制备高质量塑料瓶内壁阻隔薄膜方法,其特征在于高质量塑料瓶内壁阻隔薄膜的制备方法按以下步骤实现:一、将塑料瓶(4)放入真空室(9)中,塑料瓶(4)同真空室(9)同轴放置,利用真空泵由抽真空部分对真空室(9)抽真空,抽至气压为3~5Pa后,经导电进气管(7)向塑料瓶(4)内部通入15~55Pa的反应气体;二、开通偏压/高频复合等离子体电源(8),功率输出端接上部真空罩(5)和下部真空罩(6),接地端接导电进气管(7)和抽真空部件(2),调节偏压/高频复合等离子体电源(8)的射频功率为50~300W、直流偏压为-100~+100V,输出在直流电位振荡的高频电压会产生高密度等离子体,对薄膜进行沉积10~300s,即在塑料瓶内壁制得高质量阻隔薄膜。
3、根据权利要求2所述的一种高质量塑料瓶内壁阻隔薄膜的制备方法,其特征在于步骤一中反应气体为乙炔和氩气的混合气体、甲烷和氩气的混合气体、甲苯和氩气的混合气体、六甲基硅氧烷和氧气的混合气体、硅烷和氧气的混合气体、乙炔、甲烷或甲苯。
4、根据权利要求3所述的一种高质量塑料瓶内壁阻隔薄膜的制备方法,其特征在于乙炔和氩气是按10∶1~1∶1的体积比混合、甲烷和氩气是按10∶1~1∶1的体积比混合、甲苯和氩气是按10∶1~1∶1的体积比混合、六甲基硅氧烷和氧气是按1∶1~1∶5的体积比混合、硅烷和氧气是按1∶1~1∶5的体积比混合。
5、根据权利要求2或3所述的一种高质量塑料瓶内壁阻隔薄膜的制备方法,其特征在于步骤一中抽至气压为4Pa后,经进气管向塑料瓶内部通入35Pa的反应气体。
6、根据权利要求5所述的一种高质量塑料瓶内壁阻隔薄膜的制备方法,其特征在于步骤二中调节偏压/高频复合等离子体电源的射频功率为200W。
7、根据权利要求2、3或6所述的一种高质量塑料瓶内壁阻隔薄膜的制备方法,其特征在于步骤二中直流偏压为50V。
8、根据权利要求7所述的一种高质量塑料瓶内壁阻隔薄膜的制备方法,其特征在于步骤二中沉积时间为60s。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的