[发明专利]带温度传感器的多晶硅纳米膜压力传感器及其制作方法

权利要求书

1.一种带温度传感器的多晶硅纳米膜压力传感器制作方法，其特征在于：其工艺步骤如下：

(1)选取4英寸400μm厚N型晶向100的双面抛光单晶硅片，电阻率为2-4Ω·cm；

(2)硅片清洗后，高温热氧化生长二氧化硅绝缘层；

(3)利用LPCVD技术在硅片正面淀积多晶硅纳米膜，淀积温度620℃，厚度为80-90nm；

(4)利用离子注入技术对多晶硅纳米膜进行硼掺杂，然后在1100℃的氮气氛围内退火30分钟；

(5)光刻多晶硅纳米膜压敏电阻；

(6)采用真空镀膜机对硅片正面镀铝；

(7)光刻背面硅杯窗口；

(8)正面反刻铝，形成铝引线以及铝金属薄膜电阻，铝引线将压敏电阻连接成电桥形式，铝金属薄膜电阻即为温度测量单元；

(9)正面淀积氮化硅作为钝化层；

(10)硅杯腐蚀，形成感压膜和周边固支结构；

(11)将硅片与玻璃静电键合；

(12)划片并封装。

2.按照权利要求1所述的一种带温度传感器的多晶硅纳米膜压力传感器制作方法制作出的一种带温度传感器的多晶硅纳米膜压力传感器。