[发明专利]一种带温度调制的三桥臂催化式微气体传感器制造方法

权利要求书

1.一种带温度调制的三桥臂微气体传感器制造方法，其主要特征是：

a.采用平面IC工艺在单晶硅片抛光面进行干法(或湿法)氧化后，在一侧面(正面)沉积氮化硅介质隔离层，在氮化硅层上利用溅射(等离子沉积或电子束蒸发)沉积三氧化二铝介质过渡层。

b.采用平面薄膜溅射工艺，在三氧化二铝介质过渡层上沉积0.3-2微米的铂膜。

c.在单晶硅片抛光面的另一侧(背面)复制图形，湿法腐蚀而形成硅杯。

d.在沉积的铂膜面，掩膜光刻复制图形，利用离子束(或等离子)刻蚀铂膜，形成敏感元件和补偿元件的加热电阻，阻值在2～100欧姆之间，同时形成温度敏感电阻，阻值在10-1000欧姆之间。然后，在露出的三氧化二铝过渡层上，掩膜光刻复制图形，逐层湿法腐蚀三氧化二铝过渡层、氮化硅介质隔离层、氧化硅介质隔离层、单晶硅，在硅片上形成多个三个桥臂的芯片单元。

e.在铂电极引出端利用镀膜工艺进行电极金化，用金丝球焊接法焊接外引线。

f.在敏感单元和补偿单元的桥臂上分别涂敷纳米粉体粒度在20-80纳米范围的三氧化二铝催化载体浆料，在600-800℃下烧结。在烧结后的催化载体上分别涂敷催化剂和去敏剂，高温300-800℃热处理后形成催化式气体传感器。

2.根据权利要求1所述的带温度调制的三桥臂微气体传感器制造方法，其特征是温度敏感元件即可放置在中间桥臂，也可放置在一侧桥臂上。

3.根据权利要求1所述的带温度调制的三桥臂微气体传感器制造方法，其特征是封装管壳的结构为三个独立的腔室，分别对应敏感单元、补偿单元及温度敏感单元，腔室上部开有不同尺寸的通气小孔，并要求敏感单元上的孔大于补偿单元上的孔。