[发明专利]芯片圆片级封装及其封装方法

权利要求书

1.一种芯片圆片级封装，其由上盖板圆片和下盖板圆片封装而成，其特征在于：在上盖板圆片设有上密封环带，在下盖板圆片上设有与上密封环带相配合的下密封环带；上密封环带和下密封环带共晶共熔或者热压扩散实现封装。

2.根据权利要求1所述的芯片圆片级封装，其特征在于：所述的上盖板圆片和下盖板圆片均选用硅片、玻璃片或陶瓷片。

3.权利要求1所述的芯片圆片级封装的封装方法，其采用热压键合将上盖板圆片和下盖板圆片实现封装，其特征在于：先在上盖板圆片和下盖板圆片上分别形成相互配合的密封环带，然后通过热压键合将上盖板圆片和下盖板圆片封装。

4.根据权利要求3所述的芯片圆片级封装的封装方法，其特征在于所述的在上盖板圆片和下盖板圆片上分别形成相互配合的密封环带的方法采用下述工艺步骤：(1)上盖板圆片的准备：制备带有通孔或者不带通孔的同需要封装的圆片尺寸一样的上盖板圆片；

(2)上盖板圆片溅射：利用磁控溅射在上盖板圆片上溅射金属种子层；

(3)上盖板圆片光刻：利用光刻技术将金属焊盘及对位标记图形转移到上盖板圆片的金属种子层上；

(4)上盖板圆片电镀：在上盖板圆片经光刻后的金属种子层上电镀实现第一层焊层的基底结构；

(5)上盖板圆片二次光刻：利用光刻技术将密封环带的上齿图形转移到第一层焊层的基底结构上；

(6)上盖板圆片二次电镀：在上齿图形上电镀形成上盖板圆片的上密封环带；

(7)下盖板圆片的准备：制备带有通孔或者不带通孔的同需要封装的圆片尺寸一样的下盖板圆片；

(8)下盖板圆片溅射：利用磁控溅射在下盖板圆片上溅射金属种子层；

(9)下盖板圆片光刻：利用光刻技术将金属焊盘、布线和对位标记的图形转移到下盖板圆片上；

(10)下盖板圆片电镀：使用电镀实现第二层焊层基底结构，电镀所采用的金属能与上盖板圆片二次电镀所采用的金属形成共晶或者扩散键合；

(11)下盖板圆片二次光刻：利用光刻技术将密封环带的下齿图形转移到第二层焊层基底结构上；

(12)下盖板圆片二次电镀：在下齿图形上电镀形成下盖板圆片的下密封环带。

5.根据权利要求4所述的芯片圆片级封装的封装方法，其特征在于所述的上盖板圆片和下盖板圆片均选用硅片、玻璃片或陶瓷片；所述的上盖板圆片和下盖板圆片上的通孔均选用刻蚀、激光打孔或磨砂方法制成。

6.根据权利要求3、4或5所述的芯片圆片级封装的封装方法，其特征在于所述的热压键合是先将上盖板圆片和下盖板圆片对准，使相互配合的上密封环带和下密封环带互相对咬；然后通过在上盖板圆片和下盖板圆片之间施加温度和压力实现金属的变形，使上盖板圆片和下盖板圆片共晶共熔或者扩散键合。

7.一种芯片圆片级封装，其由上盖板圆片和下盖板圆片封装而成，其特征在于：在上盖板圆片上涂敷上环氧树脂、聚合物、金属或合金材料的键合层，在下盖板圆片上设有与上密封环带相配合的下密封环带；下密封环带挤压到键合层实现封装。

8.根据权利要求7所述的芯片圆片级封装，其特征在于所述的上盖板圆片和下盖板圆片均选用硅片、玻璃片或陶瓷片。

9.根据权利要求7或8所述的芯片圆片级封装，其特征在于所述的的聚合物为环氧密封胶、苯并环丁烯或聚酰亚胺；所述的金属为金、铜；所述的合金为SnCu、PbSn或SnAg。

10.权利要求7所述的芯片圆片级封装的封装方法，其采用压力键合将上盖板圆片和下盖板圆片实现封装，其特征在于：先在上盖板圆片上涂敷上环氧树脂、聚合物、金属或合金以形成键合层，在下盖板圆片上形成密封环带；然后通过压力使密封环带嵌入上盖板圆片的键合层，将上盖板圆片和下盖板圆片键合在一起，进行封装。