[发明专利]双极结型晶体管发射极的镇流电阻有效
| 申请号： | 200910074716.5 | 申请日： | 2009-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN101567363A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 霍玉柱;潘宏菽;商庆杰 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L23/48;H01L29/417 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051河北省石家*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双极结型 晶体管 发射极 流电 | ||
【权利要求书】：
1.双极结型晶体管发射极的镇流电阻，所述镇流电阻包括镇流电阻本体 (2)、与镇流电阻本体(2)连接的输入引线(1)和输出引线(3)，输入引线 (1)和输出引线(3)呈平面梳状排布，其特征在于：输出引线(3)等间距 排布，输入引线(1)呈疏密相间排布，形成电流的单向传输通路。
2.根据权利要求1所述的双极结型晶体管发射极的镇流电阻，其特征在于： 所述的输入引线(1)和输出引线(3)为金属薄片。
3.根据权利要求1所述的双极结型晶体管发射极的镇流电阻，其特征在于： 所述的镇流电阻本体(2)为平面型电阻。
4.根据权利要求1所述的双极结型晶体管发射极的镇流电阻，其特征在于： 所述的镇流电阻本体(2)的表面附有一层绝缘保护层。
5.根据权利要求1所述的双极结型晶体管发射极的镇流电阻，其特征在于： 所述的镇流电阻本体(2)的成份为多晶硅或者掺杂的钛酸钡陶瓷或者合金或者 单晶硅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十三研究所，未经中国电子科技集团公司第十三研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910074716.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：薄膜晶体管的结构
- 下一篇：覆晶封装用散热板结构及其制造方法
