[发明专利]硫化镉/多壁碳纳米管壳芯异质结构的可控合成方法无效

专利信息
申请号: 200910075039.9 申请日: 2009-07-30
公开(公告)号: CN101624175A 公开(公告)日: 2010-01-13
发明(设计)人: 张湘义;孙宏宇 申请(专利权)人: 燕山大学
主分类号: B82B3/00 分类号: B82B3/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 066004河北省*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 硫化 多壁碳 纳米 管壳 芯异质 结构 可控 合成 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种异质结构纳米材料的制备,特别是涉及一种硫化镉/多壁 碳纳米管壳芯异质结构的可控合成方法。

背景技术

利用共价或非共价改性,对碳纳米管的表面进行修饰,得到的基于碳纳米 管的壳芯异质结构在能量存储、场发射以及柔韧电子器件等领域有着潜在的应 用。由于碳纳米管优异地电学特别是力学性质,基于碳纳米管的异质结构也是 研究壳层纳米管在一维约束条件(芯部的碳纳米管)下形貌稳定性(如Rayleigh 不稳定性等)的理想模型。另外,壳层的厚度对壳层形貌稳定性以及异质结构 的光诱导电荷传输行为有重要影响,而目前在温和的条件下,制备壳层厚度均 匀且厚度可控的碳纳米管基异质结构仍然是一个挑战。硫化镉(CdS)是一种 典型的II-VI族半导体,广泛应用于太阳能电池、光发射及场发射器件。CdS/ 多壁碳纳米管(MWCNTs)壳芯异质结构同时具备二者的优异性能以及因耦合 作用带来的新的特性,可以用于制备下一代纳米光电子器件。通常需要对 MWCNTs进行前处理(如酸洗)、添加表面活性剂或有机桥分子,以增强CdS 与MWCNTs之间的相互作用,但是这会削弱CdS与MWCNTs之间的电子传 输能力,并且所形成的CdS壳层分布不均,厚度不能很好的得以控制,异质结 构的产率也较低。

发明内容

为了克服现有技术存在的上述不足,本发明提供一种硫化镉/多壁碳纳米 管壳芯异质结构的可控合成方法。该方法在低温下进行,具有制备方法简便、 反应迅速和制备周期短等优点。

本发明是通过如下技术方案来实现的:该方法采用多壁碳纳米管 (MWCNTs)、四水合硝酸镉(Cd(NO3)2·4H2O)、硫代乙酰胺(CH3CSNH2)、 无水乙醇(C2H5OH)和去离子水为原料,并按照如下步骤进行:

a.在室温下,将0.01-0.5g MWCNTs分散于无水乙醇溶液中,超声处理直 至乙醇完全挥发;再向其中倒入80-100ml去离子水继续超声处理;

b.将Cd(NO3)2·4H2O和CH3CSNH2倒入上述溶液中,不断搅拌,使之 完全溶解;

c.将上述溶液转移到100ml容量的密闭容器中,在40℃~80℃条件下加 热10min~3.5h。反应完毕后将产物离心,用去离子水和无水乙醇清洗若干遍, 在室温下干燥即可。

本发明的有益效果是:本发明在温和地条件下进行(40℃~80℃),所用 原料易得,制备方法简便,产率较高;无须对MWCNTs进行前处理(如酸洗), 无须添加任何表面活性剂或有机桥分子,即可实现CdS与MWCNTs之间的相 互结合;通过改变反应参数,可以方便地控制CdS壳层的厚度。该发明可应用 于纳米光电子器件、太阳能电池等领域。

附图说明

图1为原始态MWCNTs的场发射扫描电镜照片;

图2为实施例1的CdS/MWCNTs壳芯异质结构的场发射扫描电镜照片;

图3为实施例2的CdS/MWCNTs壳芯异质结构的场发射扫描电镜照片;

图4为实施例3的CdS/MWCNTs壳芯异质结构的场发射扫描电镜照片;

图5为实施例4的CdS/MWCNTs壳芯异质结构的场发射扫描电镜照片。

具体实施方式

实施例1:CdS壳层厚为35nm的CdS/MWCNTs壳芯异质结构

在室温下,将0.05g MWCNTs(见图1)分散于无水乙醇溶液中,超声处 理至乙醇完全挥发;再向其中倒入80ml去离子水继续超声处理。将0.003mol Cd(NO3)2·4H2O和0.03mol CH3CSNH2倒入上述溶液中,不断搅拌,使之完 全溶解。将上述溶液转移到100ml容量的密闭容器中,在60℃条件下加热3.5 h。反应完毕后将产物离心,用去离子水和无水乙醇清洗若干遍,在室温下干 燥即可(见图2)。

实施例2:CdS壳层厚为25nm的CdS/MWCNTs壳芯异质结构

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