[发明专利]背接触太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.一种背接触太阳能电池的制造方法，包括P型掺杂、N型掺杂，其特征在于，所述P 型掺杂包括步骤：

A、在N型硅基片的背面生长二氧化硅层，并同时引入P型掺杂源，形成P型掺杂二氧化 硅层；

B、在所述P型掺杂层上生长不掺杂的二氧化硅层；

C、在所述不掺杂的二氧化硅层上印刷腐蚀剂或抗腐蚀剂，将所述P型掺杂二氧化硅层 和所述不掺杂的二氧化硅层腐蚀形成需要的图形。

2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述步骤A 中，生长P型掺杂二氧化硅层采用常压化学气相沉积法或等离子体增强化学气相沉积法实 现。

3.根据权利要求2所述的背接触太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述P型掺杂 二氧化硅层的厚度为30～150nm。

4.根据权利要求1、2或3所述的背接触太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述步 骤A中，所述P型掺杂源包括硼。

5.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述步骤C之 后进行步骤：

D、在所述基片的正、背两面进行N型掺杂，形成N型掺杂层。

6.根据权利要求5所述的背接触太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述步骤B与 所述步骤A采用同一设备实现。

7.根据权利要求5或6所述的背接触太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述不掺 杂的二氧化硅层的厚度为50～100nm。

8.根据权利要求5所述的背接触太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述步骤C 中，所述腐蚀剂包括浓度为10％～27％的氟化氢铵；所述抗腐蚀剂包括耐腐蚀的有机溶剂。

9.根据权利要求5所述的背接触太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述步骤D包 括：

将基片放置在高温扩散炉之中，通入POCl₃，对基片正、背两面进行N型掺杂，使基片 正面形成N型掺杂前表面场；使基片的背面形成N型/P型交替掺杂区。

10.根据权利要求9所述的背接触太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述N型掺杂 前表面场的表面方块电阻为10～60Ω/□。

11.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述步骤A之 前包括对所述N型硅基片进行表面制绒，具体包括用KOH和IPA混合溶液将所述N型硅基片的 正面制成倒金字塔型绒面。

12.根据权利要求11所述的背接触太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述表面制 绒之前包括对所述N型硅基片进行清洗，具体采用质量分数为2％～15％、温度为60℃～90℃的 NaOH溶液进行清洗。

13.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述N型硅基 片为厚度为220～280um的区熔N型单晶硅片。

14.根据权利要求5所述的背接触太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述步骤D之 后包括在所述基片的正、背两面生长二氧化硅层，用于对所述基片的表面进行钝化。

15.根据权利要求14所述的背接触太阳能电池的制造方法，其特征在于，对所述基片 的表面进行钝化之后包括：在所述基片的正面或正、背两面沉积减反射膜。

16.根据权利要求15所述的背接触太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述减反射 膜包括厚度为50～200nm的SiN或TiO₂薄膜。

17.根据权利要求15所述的背接触太阳能电池的制造方法，其特征在于，在所述基片 的正面或正、背两面沉积减反射膜之后包括在所述基片的背面制作金属电极，具体包括：

首先腐蚀电池背面的二氧化硅层，露出需要形成背面电极接触的区域；然后在该区域 印刷正负电极、并进行烧结。