[发明专利]太阳能级硅的提纯方法

权利要求书

1.一种太阳能级硅的提纯方法，其特征在于，所述方法包括：

A、将小于或等于200目的硅用酸浸泡并搅拌1～3小时；所述酸为下述酸液中的一种或多种，

质量百分比浓度5％～60％的硫酸；

质量百分比浓度7％～40％的盐酸；

质量百分比浓度0.5％～2％氢氟酸；

B、滤去酸后，用水冲洗1小时以上后，加热烘干至恒重；

C、将烘干后的硅在熔炼炉中通氧气熔炼至熔硅后，加入造渣剂；所述造渣剂与烘干后的硅的质量比为0.05～0.20∶1；并在加入造渣剂的同时，向所述熔炼炉中通氩气和氧气的混合气体，所述混合气体的体积比例为，氩气∶氧气为0.01～0.001∶1；所述熔炼炉的温度为1400～1800℃，真空度小于等于0.01Mpa；所述造渣剂的成份和成份的质量百分比为：

氧化硅SiO₂        30～50％；

碳酸钡BaCO₃       5～20％；

氢氧化钙Ca(OH)₂   5～15％；

萤石       5～15％；

氯化钠NaCl      5～15％；

碳酸钠Na₂CO₃    5～20％；

D、将所述熔硅进行定向凝固，得到高纯硅铸锭，除去所述高纯硅铸锭表层和上层杂质浓集部位，得到高纯度太阳能级硅。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述熔炼炉的温度进一步为1400-1600℃。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述熔炼炉的熔炼时间为2～ 5小时。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将步骤B中的冲洗后的水经过中和、结晶处理后循环使用。