[发明专利]一种加热装置及应用该加热装置的等离子体处理设备无效
申请号: | 200910076888.6 | 申请日: | 2009-02-05 |
公开(公告)号: | CN101800159A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
发明(设计)人: | 刘少锋 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/324 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 张天舒;陈源 |
地址: | 100016 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 加热 装置 应用 等离子体 处理 设备 | ||
技术领域
本发明涉及等离子体处理技术领域,具体地,涉及一种加热装置及应用该加热装置的等离子体处理设备。
背景技术
随着生产技术的不断进步,微电子制造行业得到了长足的发展。与此同时,市场对产品的质量要求也越来越高,而在实际生产当中,往往一些细微的工艺误差就会导致产品的质量大幅下降。这就要求企业不断改进自身的生产工艺和加工设备以满足新的市场需求。
以太阳能电池的生产为例,对硅片进行加工前的预热处理就是一项看似简单、实则对产品质量影响甚大的重要环节,如果工件受热不均匀或者同一版的工件温度不一致将严重影响最终加工工艺的均一性,降低产品质量。
通常,对诸如硅片等的待加工工件的预热过程是在加热装置内 完成的。例如,图1就示出了一种用于加热硅片的加热装置,其包括托板1和并排设置于托板1上方的多个加热元件2。该加热装置所采用的加热元件2为红外辐射加热灯管(以下简称红外灯管)。将整版的工件3(例如,硅片等)均匀地排列在托板1上,通过加热元件2所发出的红外辐射对硅片进行加热。其中,多个加热元件2到托板的垂直距离相等,并且各个加热元件2之间的水平距离也相等。
上述加热装置虽然可同时对整版的硅片进行预热处理,但是位于托板1中心区域的工件3可以同时获得来自其正上方及左右两侧的加热元件2的热辐射,而位于托板1边缘区域的工件3只能获得来自其正上方及一侧加热元件2的热辐射。因此位于托板1边缘区域的工件3获得的热辐射要小于托板1中心区域的工件3获得的热辐射,从而使位于边缘区域的工件3的温度低于中心区域的工件3的温度。而工件的温度分布不均匀或同一版工件之间的温度不一致都将破坏加工工艺的均一性,进而降低产品质量。
发明内容
为解决上述问题,本发明提供一种加热装置及应用该加热装置的等离子体处理设备,其能够使工件获得均匀的温度分布,从而提高工艺均一性。
为此,本发明提供一种加热装置,包括托板和设置于托板上方的多个加热元件,位于托板中心区域上方的加热元件的排列规则不同于位于托板边缘区域上方的加热元件,以使托板中心和边缘区域所获得的热辐射大致相等。
其中,加热元件包括红外灯管和/或电阻丝。
其中,多个加热元件可以按下述规则排列:即,位于托板中心区域上方的加热元件到托板的垂直距离大于位于托板边缘区域上方的加热元件到托板的垂直距离。
其中,各个相邻加热元件之间的水平距离相等。
其中,多个加热元件到托板的垂直距离以渐变的方式自托板边缘区域向中心区域逐渐增大。
此外,多个加热元件还可以按下述规则排列:即,位于托板中心区域上方的相邻加热元件之间的水平距离大于位于托板边缘区域上方的相邻加热元件之间的水平距离。
其中,多个加热元件到托板的垂直距离相等。
其中,多个加热元件之间的水平距离以渐变的方式自托板边缘区域向中心区域逐渐增大。
其中,多个加热元件中,位于托板中心区域上方的加热元件到托板的垂直距离大于位于托板边缘区域上方的加热元件到托板的垂直距离。
另外,本发明还提供一种等离子体处理设备,包括装载腔室和与之相连的工艺腔室,在装载腔室内设置有上述本发明所提供的加热装置,以便对位于加热装置的托板上的待加工工件进行均匀的预热。
本发明具有下述有益效果:
本发明提供的加热装置及应用该加热装置的等离子体处理设备中,使位于托板中心区域上方的加热元件的排列规则不同于位于托板边缘区域上方的加热元件,例如,通过调整加热元件到托板的垂直距离和/或调整加热元件之间的水平距离,使位于托板边缘区域的工件与位于托板中心区域的工件所获得的热辐射大致趋于相等,从而使各工件经预热处理后的温度也大致相等,以便提高整版工件的工艺均一性,进而改善产品质量。
附图说明
图1为一种红外灯管加热装置的结构示意图;以及
图2为本发明提供的加热装置第一具体实施例的结构示意图。
具体实施方式
为使本技术领域的人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图对本发明提供的加热装置及应用该加热装置的等离子体处理设备进行详细描述。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司,未经北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910076888.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造