[发明专利]太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，该太阳能电池包括：

硅基底和在硅基底上形成的多个太阳能电池核；所述多个太阳能电池核呈阵列式分布在硅基底上，各太阳能电池核并联后形成太阳能电池；

所述太阳能电池核为柱形纳米三层结构。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池核的柱形纳米三层结构具体为：芯层为镀硼的掺磷多晶硅正极，外层为掺磷多晶硅负极，芯层与外层之间是隔离正、负极的多晶硅隔离层。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池核的芯层镀硼的掺磷多晶硅正极的直径为85～110μm；所述外层的掺磷多晶硅负极厚度为40～60μm；所述内层与外层之间的隔离正、负极的多晶硅隔离层的厚度为40～60μm。

4.根据权利要求2-3中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池核为圆柱形纳米三层结构、椭圆柱形纳米三层结构或棱柱形纳米三层结构。

5.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：

在硅片基底上涂敷缓冲层，在缓冲层上生长第一层掺硼多晶硅，在形成的第一层掺硼多晶硅上刻蚀出作为正极的太阳能电池核芯层的阵列，刻蚀时保留2～6μm厚的第一层掺硼多晶硅，通过保留的第一层掺硼多晶硅使阵列中的各太阳能电池核的芯层相互并联连接；

在上述硅片基底上生长第二层多晶硅，使多晶硅填充至刻蚀太阳能电池核芯层时腐蚀形成的空隙中，通过化学机械抛光去除填充多晶硅时腐蚀掉区域外表面滞留的多晶硅，使第二层多晶硅的高度高于或等于太阳能电池核芯层阵列表面的高度，在第二层多晶硅刻蚀出作为隔离层的太阳能电池核芯层外面的中间层，刻蚀时保留2～6μm厚的第二层多晶硅，使阵列中的太阳能电池核芯层外面的中间层通过保留的第二层多晶硅相互并联连接；

在生成中间层结构的太阳能电池核阵列结构上，生长第三层掺磷多晶硅，使多晶硅填充至刻蚀腐蚀太阳能电池核中间层时形成的空隙中，通过化学机械抛光去除填充多晶硅时腐蚀掉区域外表面滞留的多晶硅，使第三层掺磷多晶硅的高度高于或等于太阳能电池核芯层、中间层阵列表面的高度，在第三层多晶硅上刻蚀出作为负极的太阳能电池核中间层外面的外层，刻蚀时保留2～6μm厚的第三层多晶硅，使阵列中的太阳能电池核的外层通过保留第三层掺磷多晶硅相互并联连接；

在上述处理后得到的各太阳能电池核相互并联的太阳能电池核阵列结构上，通过选择性刻蚀在太阳能电池核阵列外的硅片基底上形成与各太阳能电池核连接的正、负输出电极，即得到太阳能电池。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述方法中，刻蚀采用的是RIE刻蚀。

7.根据权利要求5所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述方法中，生长第二层和第三层多晶硅时，通过沉积工艺使多晶硅填充至腐蚀掉区域内，通过沉积时间控制填充的多晶硅的厚度。