[发明专利]一种对上电极进行费米能级修饰的方法有效
| 申请号： | 200910077528.8 | 申请日： | 2009-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN101783394A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 刘舸;刘明;刘兴华;商立伟;王宏;柳江 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40;H01L51/10;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电极 进行 费米 能级 修饰 方法 | ||
1.一种对上电极进行费米能级修饰的方法，其特征在于，该方法包括：
步骤1、在导电硅基底上热氧化生长绝缘介质薄膜；
步骤2、在绝缘介质薄膜表面上真空蒸镀一层有机半导体材料；
步骤3、在有机半导体材料上通过漏版用电子束蒸发蒸镀一层金属镍，并让金属镍在空气中自然氧化成氧化镍；
步骤4、继续通过漏版用电子束蒸发蒸镀金属电极，完成器件的制作。
2.根据权利要求1所述的对上电极进行费米能级修饰的方法，其特征在于，步骤1中所述导电硅基底是电阻率低的导电材料，用于作为有机场效应管的栅极。
3.根据权利要求1所述的对上电极进行费米能级修饰的方法，其特征在于，步骤1中所述在导电硅基底上热氧化生长绝缘介质薄膜，是采用热氧化生长的方法或化学气相沉积的方法获得的。
4.根据权利要求1所述的对上电极进行费米能级修饰的方法，其特征在于，步骤2中所述有机半导体材料是采用真空蒸镀的方法的得到的。
5.根据权利要求1所述的对上电极进行费米能级修饰的方法，其特征在于，步骤2中所述有机半导体材料的厚度是50nm，且有机半导体材料选用的是肽菁铜。
6.根据权利要求1所述的对上电极进行费米能级修饰的方法，其特征在于，步骤3中所述金属镍是通过电子束蒸发得到的，厚度为7nm。
7.根据权利要求1所述的对上电极进行费米能级修饰的方法，其特征在于，步骤4中所述金属电极采用的是金，厚度为50nm。
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