[发明专利]一种调节金属和硅形成的肖特基二极管势垒的方法

权利要求书

1.一种调节金属和硅形成的肖特基二极管势垒的方法，其特征在于，该方法包括：

清洗硅片；

对清洗后的硅片进行氧化和刻蚀，形成有源区；

在有源区内形成超薄二氧化硅膜；

对形成超薄二氧化硅膜的硅片进行钝化处理，使硅片表面的硅原子和硫原子形成化学键；

对钝化后的硅片进行金属电极材料淀积，形成金属电极。

2.根据权利要求1所述的调节金属和硅形成的肖特基二极管势垒的方法，其特征在于，所述清洗硅片的步骤包括：

在3#液中清洗10分钟，然后在1#液中清洗5分钟；所述3#液是体积比为4∶1至6∶1的H₂SO₄+H₂O₂溶液，所述1#液是体积比为0.5∶0.5∶5至1∶1.5∶5的NH₄OH+H₂O₂+H₂O溶液；然后去离子水冲洗，甩干。

3.根据权利要求1所述的调节金属和硅形成的肖特基二极管势垒的方法，其特征在于，所述对清洗后的硅片进行氧化和刻蚀形成有源区的步骤包括：

采用氧化方法生长一层二氧化硅膜，厚度为300纳米到500纳米，然后曝光刻蚀，形成有源区。

4.根据权利要求1所述的的调节金属和硅形成的肖特基二极管势垒的方法，其特征在于，所述在有源区内形成超薄二氧化硅膜的步骤包括：

在氮气的气氛中800至1000℃温度下快速热退火60至120秒，利用腔体中微量的氧气氧化硅的表面，生成厚度为0.5纳米到1.5纳米的氧化层。

5.根据权利要求1所述的的调节金属和硅形成的肖特基二极管势垒的方法，其特征在于，所述对形成超薄二氧化硅膜的硅片进行钝化处理，使硅片表面的硅原子和硫原子形成化学键的步骤包括：

在硫化铵和氨水的混合溶液中，在50～70℃的条件下钝化5分钟到20分钟，然后采用去离子水冲洗，使硅片表面的硅原子和硫原子形成化学键。

6.根据权利要求5所述的调节金属和硅形成的肖特基二极管势垒的方法，其特征在于，所述硫化铵和氨水的混合溶液中，在典型的条件下，硫化铵的浓度为0.5％～5％；氨水的浓度为1％～10％；乙醇的浓度为0％～25％。

7.根据权利要求1所述的的调节金属和硅形成的肖特基二极管势垒的方法，其特征在于，所述对钝化后的硅片进行金属电极材料淀积的步骤中，金属电极材料采用铝、钛、钽、钨、镍或铂，淀积方法采用蒸发或溅射，金属电极材料的厚度为50纳米到500纳米。

8.根据权利要求1所述的的调节金属和硅形成的肖特基二极管势垒的方法，其特征在于，所述形成金属电极的步骤中，采用金属剥离、湿法腐蚀或干法刻蚀方法。