[发明专利]一种制作复合俘获层的方法无效
| 申请号： | 200910077676.X | 申请日： | 2009-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN101800169A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 刘明;杨仕谦;王琴;龙世兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;H01L21/324;H01L21/8247;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 复合 俘获 方法 | ||
1.一种制作兼有氮化硅电荷俘获层及纳米晶电荷存储层的复合俘获层的方法，其特征在于，该方法包括：
A、采用反应溅射的方式在隧穿介质层上沉积含有氮的金属硅化物薄膜；
B、对含有氮的金属硅化物薄膜进行快速热退火处理，形成兼有氮化硅电荷俘获层及纳米晶电荷存储层的复合俘获层。
2.根据权利要求1所述的制作兼有氮化硅电荷俘获层及纳米晶电荷存储层的复合俘获层的方法，其特征在于，步骤A中所述金属硅化物薄膜中的金属硅化物，包括CMOS工艺中常用金属的硅化物TixSiy、NixSiy、WxSiy、TaxSiy、MoxSiy和NixSiy，其中下标x和y表示金属和Si所占的原子百分比，且x＜0.4，y＞0.6。
3.根据权利要求1所述的制作兼有氮化硅电荷俘获层及纳米晶电荷存储层的复合俘获层的方法，其特征在于，步骤A中所述的金属硅化物薄膜的厚度为8nm至15nm。
4.根据权利要求1所述的制作兼有氮化硅电荷俘获层及纳米晶电荷存储层的复合俘获层的方法，其特征在于，步骤A中所述采用反应溅射的方式在隧穿介质层上沉积含有氮的金属硅化物薄膜，包括采用金属靶和Si靶在N2和Ar气氛中反应共溅射，或者采用金属硅化物靶(单靶)在N2和Ar气氛中反应溅射。
5.根据权利要求1所述的制作兼有氮化硅电荷俘获层及纳米晶电荷存储层的复合俘获层的方法，其特征在于，步骤B中所述的纳米晶电荷存储层是某种金属硅化物，或者是某种金属的氮化物，或者是某种金属硅化物及其氮化物两者兼有，纳米晶嵌于氮化硅层中。
6.根据权利要求5所述的制作兼有氮化硅电荷俘获层及纳米晶电荷存储层的复合俘获层的方法，其特征在于，所述金属硅化物包括CMOS工艺中常用金属的硅化物TixSiy、NixSiy、WxSiy、TaxSiy、MoxSiy和NixSiy，其中下标x和y表示金属和Si所占的原子百分比，且x＜0.4，y＞0.6。
7.根据权利要求1所述的制作兼有氮化硅电荷俘获层及纳米晶电荷存储层的复合俘获层的方法，其特征在于，步骤B中所述对含有氮的金属硅化物薄膜进行快速热退火处理，是在N2气氛中快速热退火100秒，退火温度600摄氏度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
