[发明专利]用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件及其制作方法有效
| 申请号： | 200910077678.9 | 申请日： | 2009-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN101800242A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 龙世兵;刘明;李维龙;贾锐 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米 材料 作为 库仑 电子器件 及其 制作方法 | ||
1.一种用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件，其特征在于，该 纳米电子器件由源、漏、栅、库仑岛、栅介质构成，利用衬底上的一对纳 米电极作为源和漏电极，利用纳米电极之间的纳米晶作为库仑岛，利用纳 米电极上生长的绝缘介质作为栅介质，利用绝缘介质上生长的电极作为栅 电极；其中，所述纳米晶的材料为Si、Ni、Cu、Al、Pt、Au、Ag、W、 Ti、Cr和WTi中的一种；库仑岛的直径达到2纳米，提高了纳米电子器 件的工作温度。
2.根据权利要求1所述的用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件， 其特征在于，所述衬底为平整、洁净的绝缘衬底，包括SiO2、Si3N4、Al2O3、 MgO、CaO、聚酰亚胺中的一种，或者为平整、洁净的本征半导体衬底， 包括Si、Ge、GaAs、GaN、GaSb、GaP、AlAs、InAs、InP、InSb、SiC、 ZnO、ZnS、CdS、CdTe、金刚石中的一种。
3.根据权利要求1所述的用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件， 其特征在于，所述纳米电极的间距为5纳米至100纳米，纳米电极的厚度 为20纳米至50纳米，纳米电极的材料为Al、Pt、Au、Ag、W、Ti、Cr 和ITO中的一种。
4.根据权利要求1所述的用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件， 其特征在于，所述生长的绝缘介质为SiO2、Si3N4、HfO2、HfAlO和HfSiON 中的一种，厚度为5至20纳米。
5.根据权利要求1所述的用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件， 其特征在于，所述栅电极材料为多晶硅、TaN和IrO2中的一种，栅电极的 厚度为20至100纳米。
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