[发明专利]一种自对准的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种顶栅结构金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，包括以下步骤：

1)在玻璃衬底上生长一层金属薄膜，然后光刻和刻蚀形成金属源区和金属漏区；

2)依次生长一层金属氧化物半导体层和一层保护介质层，然后光刻和刻蚀保护介质层和金属氧化物半导体层，形成器件的有源层及之上的有源保护层，其中有源层位于源区和漏区之间的玻璃衬底之上的中间部分为沟道区，有源层的两端部分叠于源区和漏区之上；

3)生长一层绝缘介质层覆盖源、漏区和沟道区，该层与有源保护层一道形成器件的栅介质层；

4)器件面涂布正性光刻胶，前烘后从玻璃衬底的背面进行曝光，然后显影并坚膜；

5)器件面带胶生长一层导电薄膜；

6)进行光刻胶和导电薄膜的剥离，光刻和刻蚀形成栅电极，栅电极自对准地位于源区和漏区之间正上方；

7)进行晶体管制作的后道工序：先生长一层钝化介质层，光刻和刻蚀形成栅、源和漏的引出孔，然后生长一层导电薄膜，光刻和刻蚀形成电极和互连。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于：步骤1)用磁控溅射方法或热蒸发方法生长金属薄膜。

3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于：步骤1)所用金属为钼、铬或铝。

4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于：步骤2)中所述金属氧化物半导体层为非晶或多晶的金属氧化物半导体薄膜，采用射频磁控溅射技术生长。

5.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于：步骤2)中采用射频磁控溅射技术生长氧化锌基半导体薄膜，使用的靶由氧化镓、氧化铟和氧化锌的混合材料构成，三种材料的摩尔含量X、Y、Z分别是40％＜X＜50％，40％＜Y＜50％，10％＜Z＜20％。

6.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于：步骤3)采用等离子体增强化学汽相淀积方法生长氮化硅和/或氧化硅形成所述栅介质层。

7.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于：步骤3)采用磁控溅射方法生长氧化铝和/或氧化铪形成所述栅介质层。

8.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于：步骤5)采用磁控溅射方法或热蒸发方法生长一层金属薄膜，或者采用磁控溅射方法形成一层透明导电薄膜。

9.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于：步骤7)中所生长的导电薄膜为金属材料薄膜或透明导电薄膜。