[发明专利]利用低压氧化法在铜表面制备超疏水薄膜的方法无效
申请号: | 200910077832.2 | 申请日: | 2009-01-23 |
公开(公告)号: | CN101476121A | 公开(公告)日: | 2009-07-08 |
发明(设计)人: | 王波;裴明德;孙宏达;张雪红;宋雪梅;严辉;朱满康;汪浩;王如志;侯育冬;张铭 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | C23C22/63 | 分类号: | C23C22/63;C23C22/82 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人: | 魏聿珠 |
地址: | 100124*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 低压 氧化 表面 制备 疏水 薄膜 方法 | ||
1、利用低压氧化法在铜表面制备超疏水薄膜的方法,其特征在于包括以下步骤:
(1)配制(1~3摩尔/升)KOH和(0.05~0.25摩尔/升)K2S2O8的水溶液,将两种溶液按照化学反应方程式:的配比混合后,加热至60℃保温,将清洁的铜片放入配好的溶液中,使其表面反应生成氢氧化铜薄膜,反应10~30min后,拿出来冷却,然后用去粒子水冲洗干净,自然晾干;
(2)再将步骤(1)处理后的铜片放入石英舟中,放入真空室,将真空室抽至0.5Pa~20Pa的低气压范围,将铜片加热到120℃,保温1.5h~5h,然后再冷却到室温;这个过程中,发生的化学反应式是:
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