[发明专利]等离子体设备腔室维护前预处理的方法有效
| 申请号： | 200910077872.7 | 申请日： | 2009-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN101476114A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 荣延栋 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/50;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 100016北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 设备 维护 预处理 方法 | ||
1.等离子体设备腔室维护前预处理的方法，其特征在于，包括：
对所述等离子体设备腔室内壁执行等离子体处理，以消耗吸附于腔 室内壁的有毒的或者在常温常压下为易燃易爆的工艺气体，并将生成副 产物气体排出腔室；
用氮气或惰性气体对所述腔室执行充抽处理；
其中，所述充抽处理在所述等离子体处理之前或之后执行；所述工 艺气体包括SiH4，所述等离子体为含氮气体的等离子体。
2.如权利要求1所述的等离子体设备腔室维护前预处理的方法， 其特征在于：所述等离子体处理在第一气压和第二气压下交替执行；
其中，所述第一气压为等离子体处理正常工作时的腔室压力；
所述第二气压小于第一气压，以使内壁上吸附的气体释放到工艺腔 中。
3.如权利要求2所述的等离子体设备腔室维护前预处理的方法， 其特征在于：所述第二气压的气压值为第一气压的气压值的十分之一至 五分之一。
4.如权利要求2所述的等离子体设备腔室维护前预处理的方法， 其特征在于：所述第二气压的气压值为所述腔室在允许范围内的最小 值。
5.如权利要求2所述的等离子体设备腔室维护前预处理的方法， 其特征在于：所述第一气压和第二气压交替执行的次数为1至100次。
6.如权利要求1所述的等离子体设备腔室维护前预处理的方法， 其特征在于：所述等离子体处理和充抽处理交替执行至少两次。
7.如权利要求1所述的等离子体设备腔室维护前预处理的方法， 其特征在于：所述含氮气体包括NH3、N2、NO或N2O中的一种。
8.如权利要求1所述的等离子体设备腔室维护前预处理的方法， 其特征在于：所述等离子体处理在第一气压和第二气压下交替执行，所 述第一气压为10帕斯卡至500帕斯卡。
9.如权利要求8所述的等离子体设备腔室维护前预处理的方法， 其特征在于：所述第一气压为80帕斯卡，第二气压为10帕斯卡。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
