[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示器结构及其制造方法，尤其是一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。 

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。 

TFT-LCD主要由对盒的阵列基板和彩膜基板构成，其中阵列基板上形成有矩阵式排列的薄膜晶体管和像素电极，每个像素电极由薄膜晶体管控制。当薄膜晶体管打开时，像素电极在打开时间内充电，充电结束后，像素电极电压将维持到下一次扫描时重新充电。一般来说，液晶电容不大，仅靠液晶电容不能维持像素电极的电压，因此现有设计均设置一个存储电容来保持像素电极的电压。通常，存储电容的主要类型为：存储电容在栅线上(Cs on Gate)、存储电容在公共电极线上(Cs on Common)和组合结构，组合结构是指存储电容一部分在栅线上，另一部分在公共电极线上。 

在TFT-LCD工作时，由于源电极与栅电极之间、漏电极与栅电极之间存在寄生电容，因此在像素电极充电结束的瞬间会产生一个跳变电压ΔV_p，跳变电压的表达式为： 其中V_gh为栅电极的开启电压，V_gl栅电极的关断电压，C_lc为液晶电容，C_gs为寄生电容，C_s为存储电容。研究表明，跳变电压ΔV_p的存在会使像素电极的极性发生改变，进而导致正负极性的电压差不一致，导致显示画面产生闪烁(flicker)现象，严重地影响了显示 质量，因此设计上要求产生的跳变电压ΔV_p越小越好。虽然通过减小寄生电容C_gs可以减少跳变电压ΔV_p，但由于制作工艺的限制，现有TFT-LCD不可能完全消除寄生电容。而在现有技术采用增加存储电容C_s来减少跳变电压ΔV_p的技术方案中，存在如下技术问题： 

(1)对于存储电容在栅线上的结构类型，由于存储电容值较小，所以减少跳变电压ΔV_p的效果不理想； 

(2)对于存储电容在公共电极线上的结构类型，虽然存储电容值较大，可以有效减少跳变电压ΔV_p，但由于公共电极线遮挡了部分像素区域，因此导致开口率降低和显示亮度降低； 

(3)对于组合结构类型，虽然使上述问题得到缓解，但导致TFT-LCD阵列基板结构复杂，制作工艺难度加大，且在一定程度上影响了TFT-LCD的产品质量。 

发明内容

本发明的目的是提供一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，在增大存储电容以有效减少跳变电压的同时，还具有高开口率和高显示亮度等优点。 

为实现上述目的，本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板，包括形成在基板上的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，所述像素区域内还形成有与所述像素电极一起构成存储电容的透明材质的存储电极。 

所述存储电极上形成有钝化层，所述像素电极形成在钝化层上，使所述存储电极与像素电极之间的距离为所述钝化层的厚度。 

所述存储电极形成在掺杂半导体层上，数据线的下方保留有形成所述存储电极的透明导电薄膜、掺杂半导体薄膜和半导体薄膜，薄膜晶体管的源电极和漏电极的下方保留有形成所述存储电极的透明导电薄膜。或者所述存储电极形成在栅绝缘层上，数据线的下方保留有形成所述存储电极的 透明导电薄膜，薄膜晶体管的源电极和漏电极的下方保留有形成所述存储电极的透明导电薄膜。 

在上述技术方案基础上，相邻的像素区域之间还形成有使相邻像素区域内的存储电极相互连接的连接电极。 

所述连接电极形成在钝化层上，与像素电极同层，并通过钝化层上开设的钝化层过孔与所述存储电极连接。 

为了实现上述目的，本发明还提供了一种TFT-LCD阵列基板制造方法，包括： 

步骤1、在基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅线和栅电极的图形；