[发明专利]阵列基板及其制造方法和液晶面板

权利要求书

1.一种阵列基板，包括衬底基板及其上的多薄膜层，所述多薄膜层包括栅极扫描线、数据扫描线和薄膜晶体管，在所述多薄膜层上覆盖有钝化层，所述钝化层上有矩阵形式的多个像素电极，其特征在于：所述钝化层上形成有沟槽，且所述沟槽对应形成在相邻的两个像素电极之间；所述沟槽的深度小于所述钝化层的厚度。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述沟槽沿栅极扫描线和/或数据扫描线方向呈条状分布。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，所述矩阵形式的多个像素电极中，每个像素电极图案具有多个条状缝隙，其特征在于：沟槽还形成在一个像素电极图案中对应所述缝隙的区域上。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述沟槽的侧壁垂直于所述衬底基板或所述沟槽的敞口向所述沟槽的中心方向收拢。

5.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成多薄膜层的图案，所述多薄膜层包括栅极扫描线、数据扫描线和薄膜晶体管；

在形成所述多薄膜层的衬底基板上形成钝化层；

在所述钝化层上形成钝化层过孔和沟槽，所述沟槽的深度小于所述钝化层的厚度；

在形成所述沟槽的钝化层上沉积透明导电膜层；

采用构图工艺刻蚀透明导电膜层以形成矩阵形式的多个像素电极，所述沟槽对应形成在相邻的两个像素电极之间。

6.根据权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，采用构图工艺刻蚀透明导电膜层以形成矩阵形式的多个像素电极，所述沟槽对应形成在相邻的两个像素电极之间具体为：

采用构图工艺刻蚀透明导电膜层以形成矩阵形式的多个像素电极中，每个像素电极图案具有多个条状缝隙，所述沟槽还形成在一个像素电极图案中对应所述缝隙的区域上。

7.根据权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在衬底基板上形成多薄膜层的图案具体包括：

在所述衬底基板上沉积栅金属层，通过构图工艺在所述衬底基板上形成栅极扫描线和栅电极的图案；

在形成所述栅极扫描线和栅电极的衬底基板上沉积栅极绝缘层、半导体膜层、掺杂半导体膜层和源漏金属膜层，采用构图工艺在所述栅极绝缘层上形成数据扫描线、半导体层、掺杂半导体层、源电极和漏电极的图案，与所述栅极扫描线和栅电极共同作为所述多薄膜层，所述源电极和漏电极之间形成薄膜晶体管沟道。

8.根据权利要求5～7任一所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述钝化层上形成钝化层过孔和沟槽具体包括：

在所述钝化层上涂覆光刻胶；

以灰色调掩模板或半色调掩模板对所述光刻胶进行曝光显影操作，形成完全去除区域、半保留区域和完全保留区域，对应所述沟槽的区域为半保留区域，对应钝化层过孔的区域为完全去除区域，完全去除区域的光刻胶全部显影去除，半保留区域的光刻胶保留设定厚度，完全保留区域的光刻胶全部保留；

采用干法刻蚀钝化层，完全去除区域的钝化层被部分刻蚀；

对剩余光刻胶进行灰化处理，去掉设定厚度的光刻胶，所述半保留区域的光刻胶被完全去除，所述完全保留区域的光刻胶保留设定厚度；

采用干法刻蚀钝化层，完全保留区域的钝化层被刻蚀设定厚度以形成所述沟槽，同时完全去除区域的钝化层被完全刻蚀掉以形成钝化层过孔；

剥离剩余光刻胶。

9.一种包括权利要求1～4任一所述阵列基板的液晶面板，其特征在于：还包括彩膜基板，所述阵列基板和彩膜基板对盒设置，其间填充有液晶层。