[发明专利]薄膜太阳电池多层透明导电膜及其制造方法无效
| 申请号： | 200910080141.8 | 申请日： | 2009-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN101582460A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 赵凤刚;陈光羽;何艾华;王建强 | 申请（专利权）人： | 新奥光伏能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0236;B32B9/04;B32B7/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 | 代理人： | 李维真;王建国 |
| 地址： | 065001河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 太阳电池 多层 透明 导电 及其 制造 方法 | ||
1.一种薄膜太阳电池多层透明导电膜，其特征在于，包括纳离子阻挡层(13)、 主要组分为SnO2的不连续TCO层(14)、不同氧化物层(15)、主要组分为ZnO 的连续TCO层(16)；所述不同氧化物层(15)为SiO2、SnO2、ZnO、In2O3中 的一种或几种。
2.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，不连续TCO层(14)采用 四氯化锡、四甲基锡、二氯二甲基锡或三氯一丁基锡、盐酸为前驱液体。
3.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，不连续TCO层(14)沉积 温度为500℃～700℃。
4.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，不连续TCO层(14)主要 组分为SnO2，掺杂元素为F和/或Sb。
5.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，不连续TCO层(14)厚度 在100nm到1000nm之间。
6.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，连续TCO层(16)衬底温 度在100℃到500℃之间。
7.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，连续TCO层(16)主要组 分为ZnO，掺杂的元素为Al、Ga、Zr中的一种或多种。
8.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，连续TCO层(16)厚度在 100nm到1000nm之间。
9.根据权利要求1～8所述的任意一种透明导电膜的制造方法，其特征在于，通 过控制不连续TC0层(14)前驱物中水和盐酸的含量，来控制不连续TCO层 (14)的形貌，进一步控制形成连续TCO层(16)的形貌。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，纳离子阻挡层(13)、不连续 TCO层(14)及不同氧化物层(15)采用在线常压化学气相沉积(APCVD)方法 制备；连续TCO层(16)采用磁控溅射(PVD)方法制备。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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