[发明专利]一种电子束曝光散射参数的提取方法

权利要求书

1.一种电子束曝光散射参数的提取方法，其特征在于：该提取方法包括如下步骤：

(1)对衬底进行表面清洁及热处理；

(2)在衬底表面上涂敷电子束光刻抗蚀剂，并进行曝光前的预处理；

(3)根据多组预设电子散射参数所计算得到的相对应的剂量调制表格，在该待测的电子束光刻抗蚀剂及衬底结构上分别对前散射参数α、背散射参数β以及背散射与前散射沉积能量之比η的提取版图进行变剂量的电子束直写曝光；

(4)对曝光完毕的电子束光刻抗蚀剂和衬底进行显影、定影并蒸发金属进行剥离处理；

(5)根据剥离处理后的得到图形结构特征确定一组散射参数，所述散射参数确定的标准分别为：α参数确定的标准是宽细不同的线条从同一剂量开始显现；β参数确定的标准是不同间距的两方块间的细线条从同一剂量开始显现；η参数确定的标准是不同间距的两方块间的细线条从同一剂量开始显现，同时从两方块间延伸出来的长线也在该剂量下达到同一长度。

2.如权利要求1所述的电子束曝光散射参数的提取方法，其特征在于：所述步骤(1)中的衬底是以硅片或其他半导体、导体为主体结构的衬底。

3.如权利要求1所述的电子束曝光散射参数的提取方法，其特征在于：所述步骤(2)中的涂敷是采用匀胶机涂敷方法进行，并用烘箱或热板对电子抗蚀剂及衬底进行烘烤。