[发明专利]一种三磷酸腺苷插层水滑石薄膜及其制备方法无效
申请号: | 200910080440.1 | 申请日: | 2009-03-18 |
公开(公告)号: | CN101530620A | 公开(公告)日: | 2009-09-16 |
发明(设计)人: | 卫敏;倪学云;靳兰;段雪 | 申请(专利权)人: | 北京化工大学 |
主分类号: | A61K47/48 | 分类号: | A61K47/48;A61K31/7076;A61P9/00;A61P9/04;A61P9/10;A61P21/00;A61P31/14;C25D11/34 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 朱 琨 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 磷酸 腺苷 插层水 滑石 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种三磷酸腺苷插层水滑石薄膜,其特征在于:该薄膜为层板垂直于 阳极氧化铝基底排列的三磷酸腺苷插层水滑石薄膜材料,该薄膜为超分子结 构,晶体结构为水滑石材料的晶体结构,其化学式为:
[(M2+)1-x(Al3+)x(OH)2]x+(ATPn-)x/n·mH2O,其中0.2≤x≤0.33,n=0.5-14, m=3-6为层间结晶水分子数;
所述的M2+为Mg2+、Co2+、Ni2+、Ca2+、Cu2+、Fe2+或Zn2+。
2.如权利要求1所述的一种三磷酸腺苷插层水滑石薄膜的制备方法,其 特征在于,制备步骤为:
a.将铝片分别在无水乙醇和去离子水中超声清洗2~10min,然后放入 0.1-0.4M NaOH溶液中处理1~3min,再用去离子水冲洗干净,将清洗后的 铝片作为阳极,铅片作为阴极,以1-2M H2SO4溶液作电解液,恒压氧化, 工作电压15~25V,氧化电流为1.5~3A,电解时间为0.5~2h,电解温度为 室温,使金属铝的表面形成阳极氧化铝层,样品用大量去离子水清洗干净, 25~90℃干燥后备用;
b.分别称取二价金属盐和NH4NO3溶解于去离子水中配成反应合成液, 二价金属离子浓度为0.1-0.6M,再用质量分数1%-4%的氨水调节反应合成 液的pH在5.9~8.5之间,将步骤a制备的阳极氧化铝/铝基片垂直悬吊在上 述反应合成液中,在40~130℃温度下反应12~96h,反应结束后用去离子水 冲洗3~5遍,于室温下干燥,得到水滑石薄膜;
c.将三磷酸腺苷溶解在水中,浓度1-2g/L,再用质量分数1%-4%的氨 水调节pH值在5.9~8.5之间,然后放入步骤b制备的长有水滑石薄膜的铝 片,于40~130℃温度下反应12~96h,反应结束后将样品用去离子水冲洗3~5 遍,于室温下干燥,得到三磷酸腺苷插层水滑石的薄膜。
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