[发明专利]一种具有单晶和多晶结构的金纳米线的制备方法

权利要求书

1.一种具有单晶和多晶结构的金纳米线的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)采用半导体镀膜工艺在硅片上，形成间距为2～100um的任意形状金属电极对；

2)将步骤1)得到的有金属电极对的硅片放入电镀槽的电镀液中，在所述的金属电极对上通以交流电进行电镀，实现金纳米线的电沉积；其中，所施加的交流电的电压峰值为12～20V，频率为10²～10⁷Hz；通电时间5～10s；所述的电镀液为金浓度范围在2×10^-8mol/l～2×10^-3mol/l的镀金液；

3)将步骤2)获得的金纳米线硅片取出，采用半导体清洗工艺清洗和烘干，完成具有单晶和多晶的金纳米线的制备。

2.按权利要求1所述的具有单晶和多晶结构的金纳米线的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中的半导体镀膜工艺包括：真空镀膜工艺或溅射镀膜工艺。

3.按权利要求1所述的具有单晶和多晶结构的金纳米线的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中的金属电极对为金或铂制作的金属薄膜，所述金属薄膜的厚度为200nm。

4.按权利要求1所述的具有单晶和多晶结构的金纳米线的制备方法，其特征在于，在步骤2)中所述的镀金液为：5×10^-7g～5×10^-2g碘化钾、5×10^-7g～5×10^-2g碘、4×10^-8g～4×10^-3g金和10ml乙醇组成。

5.按权利要求1所述的具有单晶和多晶结构的金纳米线线的制备方法，其特征在于，所述步骤2)中所得到的金纳米线直径为5～100nm。

6.按权利要求1所述的具有单晶和多晶结构的金纳米线的制备方法，其特征在于，所述步骤3)中采用半导体清洗工艺清洗是用无水乙醇清洗。