[发明专利]一种用于等离子体浸没注入剂量检测的法拉第装置

权利要求书

1.一种用于等离子体浸没注入剂量检测的法拉第装置，其特征在于，该装置包括一个用于将收集到的离子流转化成电信号的法拉第杯(40)和一个为该法拉第杯安装提供支撑的保护环(33)。

2.根据权利要求1所述的用于等离子体浸没注入剂量检测的法拉第装置，其特征在于，所述法拉第杯(40)由杯身和杯口构成，

杯身具有三层结构，在电性上分别是外导电层(44)、杯身绝缘层(43)和内导电层(42)，外导电层(44)用于屏蔽，杯身绝缘层(43)用于隔离内导电层和外导电层，内导电层(42)用于收集信号；

杯口具有三层结构，在电性上分别是上导电层(80a)、杯口绝缘层(80b)和下导电层(80c)，上导电层(80a)用于接负偏压，杯口绝缘层(80b)用于隔离上导电层和下导电层，内导电层(80c)用于收集从法拉第杯(40)内部跑到杯口的二次电子。

3.根据权利要求2所述的用于等离子体浸没注入剂量检测的法拉第装置，其特征在于，

所述内导电层(42)的材料是铝、不锈钢、石墨，或者是铝、不锈钢和石墨的任意组合；

所述外导电层(44)的材料是铝、不锈钢，或者是铝和不锈钢的任意组合；

所述杯身绝缘层(43)的材料是聚四氟乙烯、石英或陶瓷。

4.根据权利要求2所述的用于等离子体浸没注入剂量检测的法拉第装置，其特征在于，所述杯口具有的三层结构是三片分立的块材，或者是一片在绝缘层两面分别镀有导电层的块材。

5.根据权利要求2所述的用于等离子体浸没注入剂量检测的法拉第装置，其特征在于，

所述上导电层(80a)的材料是碳化硅或石墨；

所述杯口绝缘层(80b)的材料是铝、不锈钢，或者是铝和不锈钢的任意组合；

所述下导电层(80c)的材料是碳化硅或石墨。

6.根据权利要求2所述的用于等离子体浸没注入剂量检测的法拉第装置，其特征在于，所述杯口进一步开有多个通孔，用于使离子能够进入法拉第杯。

7.根据权利要求6所述的用于等离子体浸没注入剂量检测的法拉第装置，其特征在于，所述通孔是圆孔或狭缝，通孔的排布是规则均匀排布或者是不规则无序排布。

8.根据权利要求1所述的用于等离子体浸没注入剂量检测的法拉第装置，其特征在于，所述保护环(33)为环状，其上开有与法拉第杯的杯口相同形状的孔。

9.根据权利要求8所述的用于等离子体浸没注入剂量检测的法拉第装置，其特征在于，所述保护环(33)的材料是铝、不锈钢，或者是铝和不锈钢的任意组合。