[发明专利]在集成电路片内制作集成矩形波导谐振腔的方法

权利要求书

1.一种在集成电路片内制作集成矩形波导谐振腔的方法，其特征在于，该方法包括：

步骤101：选择衬底，在选择的衬底上旋涂光刻胶，并光刻显影，形成谐振腔底面的金属图形；

步骤102：在形成底面金属图形的衬底上淀积金属，剥离在底面金属图形之外淀积的金属，形成谐振腔的金属底面；

步骤103：在形成谐振腔金属底面的衬底上旋涂光刻胶，并光刻显影曝光，形成谐振腔侧壁的金属图形；

步骤104：淀积并剥离金属，形成谐振腔的金属侧壁；

步骤105：在形成谐振腔金属侧壁的衬底上淀积或旋涂一层介质材料，并加热固化形成介质层；

步骤106：对形成的介质层进行刻蚀或腐蚀，直至露出谐振腔侧壁金属的上边沿；

步骤107：重复执行步骤103至步骤106，形成足够高度的谐振腔的金属侧壁；

步骤108：在形成金属侧壁的衬底上旋涂光刻胶，并光刻显影，形成谐振腔顶面的金属图形；

步骤109：在形成顶面金属图形的衬底上淀积金属，剥离在顶面金属图形之外淀积的金属，形成谐振腔的金属顶面。

2.根据权利要求1所述的在集成电路片内制作集成矩形波导谐振腔的方法，其特征在于，步骤101中所述衬底为半导体材料衬底，或者为陶瓷基片；所述在衬底上旋涂的光刻胶为AZ5214胶。

3.根据权利要求1所述的在集成电路片内制作集成矩形波导谐振腔的方法，其特征在于，步骤102中所述在形成底面金属图形的衬底上淀积的金属为金、铝或铜，淀积方式采用金属蒸发、溅射或电镀，金属的厚度为3um。

4.根据权利要求1所述的在集成电路片内制作集成矩形波导谐振腔的方法，其特征在于，步骤103中所述旋涂的光刻胶为AZ6420胶，旋涂光刻胶的厚度为10um，在光刻显影曝光形成谐振腔侧壁的金属图形时，利用厚胶底部发生光线散射扩宽的特性，采用增加曝光的方式使得图形开口形成倒梯形，对所淀积的金属起到切断功能，使侧壁金属淀积之后更易于剥离。

5.根据权利要求1所述的在集成电路片内制作集成矩形波导谐振腔的方法，其特征在于，步骤104中所述淀积的金属为金、铝或铜，淀积方式采用金属蒸发、溅射或电镀。

6.根据权利要求1所述的在集成电路片内制作集成矩形波导谐振腔的方法，其特征在于，步骤105中所述在形成谐振腔金属侧壁的衬底上淀积或旋涂的介质材料为BCB或PI胶。

7.根据权利要求1所述的在集成电路片内制作集成矩形波导谐振腔的方法，其特征在于，步骤106中所述对形成的介质层进行刻蚀，采用反应离子刻蚀方法，利用四氟化碳和氧气进行刻蚀。

8.根据权利要求1所述的在集成电路片内制作集成矩形波导谐振腔的方法，其特征在于，步骤108中所述在衬底上旋涂的光刻胶为AZ5214胶。

9.根据权利要求1所述的在集成电路片内制作集成矩形波导谐振腔的方法，其特征在于，步骤109中所述在形成顶面金属图形的衬底上淀积的金属为金、铝或铜，淀积方式采用金属蒸发、溅射或电镀，金属的厚度为3um。