[发明专利]带有通孔的X射线光刻掩模无效
申请号: | 200910080919.5 | 申请日: | 2009-03-25 |
公开(公告)号: | CN101846874A | 公开(公告)日: | 2010-09-29 |
发明(设计)人: | 谢常青;马杰;朱效立;刘明;陈宝钦;叶甜春 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 带有 射线 光刻 | ||
1.一种带有通孔的X射线光刻掩模,其特征在于,包括:
一支撑框架,其具有平滑的上表面,用于固定和支撑带有通孔的薄膜;
一层带有通孔的薄膜,位于该支撑框架平滑的上表面;以及
一组粘附在带有通孔的薄膜之上的吸收体。
2.根据权利要求1所述的带有通孔的X射线光刻掩模,其特征在于,所述支撑框架为硬质的体材料。
3.根据权利要求2所述的带有通孔的X射线光刻掩模,其特征在于,所述硬质的体材料为硅、玻璃或者钢。
4.根据权利要求1所述的带有通孔的X射线光刻掩模,其特征在于,所述薄膜的材料是氮化硅、碳化硅或者聚酰亚胺。
5.根据权利要求1所述的带有通孔的X射线光刻掩模,其特征在于,所述通孔位于所述薄膜表面粘附吸收体之外的区域。
6.根据权利要求1所述的带有通孔的X射线光刻掩模,其特征在于,所述通孔的形状为圆形、椭圆形或者多边形。
7.根据权利要求1所述的带有通孔的X射线光刻掩模,其特征在于,所述通孔的直径在0.5mm至2mm之间。
8.根据权利要求1所述的带有通孔的X射线光刻掩模,其特征在于,所述通孔采用针刺、离子刻蚀、或者激光烧蚀的方法制得。
9.根据权利要求1所述的带有通孔的X射线光刻掩模,其特征在于,所述吸收体的材料为金。
10.根据权利要求9所述的带有通孔的X射线光刻掩模,其特征在于,所述金吸收体的厚度至少为300纳米。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910080919.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:激发表面等离子体的纳米光刻方法
- 下一篇:一种磁场力驱动扫描的激光投影装置
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备