[发明专利]在SDRAM存储若干数据的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种在SDRAM中存储数据的方法，尤其是在其中存储若干图 片数据的方法。

背景技术

随着信息技术的发展与广泛应用，使用SDRAM进行数据的存储和读取也 越来越广泛。

如图1所示，目前在各个MASTER对多块数据包以相似偏移量并发访问 的概率比较大的SOC(system on chip)系统设计中，其并没有对存储的数据 在SDRAM中的存储位置有所要求。如图2所示，这些数据在SDRAM中的 存储方式也就是顺序存储，即在存完一个数据后，在进行下一个数据的存储， 直到存储完毕所有的数据。假设数据读取的burst长度为4word，那么其数据 读取方式请参阅图3所示。由于数据存储的方式并不与数据读取的方式对应， 因此在图3中可以看出，每读一个burst长度的数据，就会发生一次page miss (即前后两次burst数据读取是发生在不同的page中，这种读取方式被称作 page miss)，这样就使得数据读取时间加长。

如此，这种存储方式使得提高SDRAM的访问带宽，纯粹是依靠SDRC (同步动态随机存储控制器)这个模块本身的性能。其性能好时，数据的存 储效率就高；反之，则效率低下。但是就目前而言，即使是一个性能最优秀 的SDRC，其对SDRAM的访问带宽的提高也是有限的。

因此，亟待提出一种新的可用于SDRAM存储数据的方法，以解决现有 技术中的缺点。

发明内容

有鉴于此，本发明的一个目的在于提供一种SDRAM中数据存储方法， 其对存储数据在SDRAM中的存储位置有所安排，以提高其被访问的效率， 进而提高整个系统的性能。

为了达到上述目的，本发明的一个实施方式提供了一种在SDRAM中存 储若干数据的方法，其中该使用的SDRAM包括有若干存储阵列(bank)， 每个存储阵列中包括有若干存储单元(page)，其包括有以下步骤。将每份数 据划分为若干大小相同的数据块，每个数据块的大小等于读取SDRAM内存 储数据的BURST长度；将相邻的预定份数据的数据块依次交错存储于 SDRAM的存储阵列的存储单元内。

进一步的，在不同实施方式中，其中将数据包括的数据块交错存储于 SDRAM的存储阵列的存储单元内的方式为，依次存储各数据包括的第一个 数据块，当全部要存储的数据的第一个数据块依次存储完毕后，在按第一次 若干数据的存储顺序继续存储各数据的第二个数据块，直到最后将所有数据 的数据块存储完毕。

进一步的，在不同实施方式中，其中在将数据包括的数据块交错存储于 SDRAM的存储阵列的存储单元内的方式中，SDRAM内包括的存储阵列及 其内包括的存储单元是按照逻辑结构上的先后顺序来依次存储这些数据的数 据块。

进一步的，在不同实施方式中，其中在SDRAM中存储的这些数据，其 大小是完全一样的。

进一步的，在不同实施方式中，其中SDRAM中数据读取的BURST长 度大小包括1、2、4、8words，相应的，存储的数据所分成的数据块，其相 应大小也包括1、2、4、8words。

进一步的，在不同实施方式中，其中存储的数据为图片数据。

进一步的，在不同实施方式中，其中存储的若干图片数据最好为同样大 小。

进一步的，在不同实施方式中，本发明SDRAM数据存储方法用于各个 MASTER对多块数据包以相似偏移量并发访问的概率比较大的SOC系统中， 以提高其SDRAM的访问效率。

相对于现有技术，本发明通过对存储数据在SDRAM中的存储位置的安 排，使得其可以被更有效率的访问，节省了读取时间，从而达到提高SDRAM 的访问带宽，进而提高整个系统性能的目的。

附图说明

图1为现有技术中SOC系统的简化结构示意图；

图2为图1中所示的SDRAM数据存储方式示意图；

图3为图2中SDRAM中存储的数据的读取方式示意图；

图4是本发明的一个实施方式涉及的数据存储方法的流程图；

图5为本发明的一个实施方式中数据存储在SDRAM中的存储位置示意 图；

图6为本发明的一个实施方式中在SDRAM中存储的数据读取方式的示 意图。

具体实施方式