[发明专利]采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法

权利要求书

1.一种采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法，其特征在于，该方法包括：

步骤1：对样品进行清洗并预热；

步骤2：在样品上淀积氮化硅薄膜；

步骤3：对淀积有氮化硅薄膜的样品进行退火。

2.根据权利要求1所述的采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法，其特征在于，所述步骤1具体包括：

对样品进行清洗并用氮气吹干，放入等离子体增强化学气相淀积PECVD真空室，预热5分钟，使样品升温至300℃并保持稳定，同时去除样品中残留的水汽。

3.根据权利要求2所述的采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法，其特征在于，所述样品为Si片或石英片；

对于Si片，对样品进行清洗采用标准RCA清洗工艺，具体清洗步骤是：使用3号液H₂SO₄∶H₂O₂＝5∶1，90℃以上煮20分钟，去离子水清洗5分钟，然后使用1号液NH₃H₂O∶H₂O₂∶H₂O＝1∶2∶5，80℃煮5分钟，去离子水清洗5分钟，再使用2号液HCl∶H₂O₂∶H₂O＝1∶2∶7，80℃煮10分钟，去离子水清洗5分钟，最后使用体积比为10％的HF水溶液浸泡，去离子水清洗10分钟；

对于石英片，对样品进行清洗的具体清洗步骤是：丙酮超声清洗5分钟，无水乙醇超声清洗3分钟，去离子水超声清洗5分钟。

4.根据权利要求1所述的采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法，其特征在于，所述步骤2具体包括：

将真空室抽真空至10^-2Pa以下，通入工艺气体，该工艺气体包含有NH₃、N₂和体积比为5％的SiH₄，其中，SiH₄的流量为600～900sccm，NH₃的流量为20～55sccm，N₂的流量为1200～1960sccm，气压保持在70～120Pa，稳定10秒钟后采用高于100W的射频功率起辉，在样品上开始淀积氮化硅薄膜，淀积时间25分钟，淀积厚度为1微米以上的氮化硅薄膜，薄膜应力小于50MPa，薄膜在体积比为HF∶NH₄F∶DI Water＝1∶2∶3的BHF溶液中的腐蚀速率为340～500埃/分钟。

5.根据权利要求1所述的采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法，其特征在于，所述步骤3具体包括：

采用700℃或900℃以上的退火温度，使用退火炉退火半小时；或者

采用700℃或900℃以上的退火温度，使用快速热退火30秒。

6.根据权利要求5所述的采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法，其特征在于，采用700℃退火，腐蚀速率降为102埃/分钟，是原来的25％。

7.根据权利要求5所述的采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法，其特征在于，采用900℃以上退火，腐蚀速率降为27埃/分钟，是原来的7％。