[发明专利]一种太阳能电池封装结构及制备方法无效

专利信息
申请号: 200910081487.X 申请日: 2009-04-09
公开(公告)号: CN101859809A 公开(公告)日: 2010-10-13
发明(设计)人: 施松林;王岩国 申请(专利权)人: 中国科学院物理研究所
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/048
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 代理人: 王勇
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 太阳能电池 封装 结构 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种制备太阳能电池封装结构的方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤一、在透光基底层上制备太阳能电池层,所述太阳能电池层背电极一面背向所述透光基底层,并同所述透光基底层一起形成太阳能电池组件;

步骤二、将UV胶涂覆在所述太阳能电池组件的所述太阳能电池层的背电极的一面上,覆盖所述太阳能电池层;

步骤三、对所涂覆的UV胶进行抚平处理,形成UV胶层;

步骤四、在真空环境下,将涂覆有UV胶层的太阳能电池组件和背板粘结在一起;

步骤五、将用UV胶层粘结好的所述太阳能电池组件和背板在装有紫外灯的固化设备中用紫外光照射固化,将UV胶层变成固化的UV胶层。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于:在所述步骤二中,所述UV胶的黏度在50~1000cps之间。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述步骤二可以通过喷涂或幕涂的方式实现。

4.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述步骤四是在气压低于50Pa的真空环境下进行的。

5.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述紫外灯为波长在340-380nm的中压汞灯。

6.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述太阳能电池层为硅薄膜太阳能电池层、铜铟镓硒薄膜太阳能电池层或碲化镉薄膜太阳能电池层。

7.一种太阳能电池封装结构,其特征在于,包括:透光基底层,在所述透光基底层上沉积有太阳能电池层,在由所述透光基底层和所述太阳能电池层所形成的太阳能电池组件上,利用固化的UV胶层粘结有背板。

8.如权利要求7所述的太阳能电池封装结构,其特征在于,在所述太阳能电池层和所述UV胶层之间还包括保护层,所述保护层和所述透光基底层将所述太阳能电池层密封,所述保护层是厚度在5nm-10um之间的氮化硅、二氧化硅或氧化铝。

9.如权利要求7所述的太阳能电池封装结构,其特征在于,所述背板采用紫外光可透射材料。

10.如权利要求7所述的太阳能电池封装结构,其特征在于,所述太阳能电池层为硅薄膜太阳能电池层、铜铟镓硒薄膜太阳能电池层或碲化镉薄膜太阳能电池层。

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