[发明专利]一种非挥发性存储器以及其制造、编程和读取方法

权利要求书

1.一种浮栅结构的非挥发性存储器，其特征在于，其中的存储单元包括：

源极、漏极和浮栅；

所述浮栅和漏极之间的耦合电容大于所述浮栅和源极之间的耦合电容；

所述源极与位线相连，所述漏极与字线相连。

2.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其特征在于，

所述漏极包括离子注入区，以及位于所述离子注入区中、与源极重掺杂区相对称的漏极重掺杂区；

所述漏极的离子注入区部分的延伸至所述浮栅的下方，形成部分重叠；

所述漏极的重掺杂区与字线相连。

3.如权利要求1或2所述的非挥发性存储器，其特征在于，

所述漏极被相邻的两个存储单元所共用；所述共用漏极的两个相邻的存储单元共用一条字线。

4.如权利要求2所述的非挥发性存储器，其特征在于，

所述源极重掺杂区为N型重掺杂区，漏极重掺杂区为N型重掺杂区。

5.如权利要求4所述的非挥发性存储器，其特征在于，

所述漏极的离子注入区为N阱。

6.一种浮栅结构的非挥发性存储器的制造方法，其特征在于，包括：

形成基材，所述基材包括衬底；

在所述衬底的上部形成离子注入区；

形成源漏对称管；所述源漏对称管的漏极位于所述离子注入区内，所述离子注入区的一部分位于所述源漏对称管的浮栅的下方，与浮栅部分重叠。

7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，还包括：

将所述源漏对称管的源极与位线相连，所述源漏对称管的漏极与字线相连。

8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，

在所述离子注入区的两侧分别形成两个源漏对称管，所述两个源漏对称管共用一个漏极。

9.如权利要求6、7或8所述的制造方法，其特征在于，

所述源漏对称管为标准N型管。

10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，

所述离子注入区为N阱。

11.一种浮栅结构的非挥发性存储器的编程读取方法，其特征在于，

所述非挥发性存储器包括源极、漏极和浮栅；所述浮栅和漏极之间的耦合电容大于所述浮栅和源极之间的耦合电容；所述源极与位线相连，所述漏极与字线相连；

所述编程读取方法包括：

在所述位线上施加接地电压，在所述字线上施加编程电压或者读取电压。

12.如权利要求11所述的编程读取方法，其特征在于，

所述非挥发性存储器的漏极包括离子注入区，以及位于所述离子注入区中、与源极重掺杂区相对称的漏极重掺杂区；

所述漏极的离子注入区部分的延伸至所述浮栅的下方，形成部分重叠；所述漏极的重掺杂区与字线相连。

13.如权利要求12所述的编程读取方法，其特征在于，

所述漏极被相邻的两个存储单元所共用；所述共用漏极的两个相邻的存储单元共用一条字线。

14.如权利要求12所述的编程读取方法，其特征在于，

所述源极重掺杂区为N型重掺杂区，漏极重掺杂区为N型重掺杂区；

所述漏极的离子注入区为N阱。