[发明专利]一种补偿电路

权利要求书

1.一种补偿电路，包括跨导放大器gm1、电阻R1和电容C，所述电阻 R1和电容C串联，电阻R1连接跨导放大器gm1的输出端，电容C连接跨 导放大器gm1的反相输入端，其特征在于：

所述补偿电路还包括电阻R2和跨导放大器gm2，所述电阻R2连接在 电阻R1与电容C之间，所述跨导放大器gm2的输出端连接在电阻R1和电 阻R2之间，所述跨导放大器gm2的同相输入端连接在电容C和电阻R2之 间，所述跨导放大器gm2的反相输入端与跨导放大器gm2的输出端相连。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于：

所述跨导放大器gm1和/或gm2的输出电阻大于等于1兆欧姆。

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述跨导放大器gm1和 /或gm2的电流源产生电路包括：

PMOS管MPb2与NMOS管MNb2串联，连接在电源与地线之间，具 体为：电源与PMOS管MPb2的源极相接，PMOS管MPb2的漏极与NMOS 管MNb2的漏极相接，NMOS管MNb2的源极与地线相接，NMOS管MNb2 的栅极与NMOS管MNb2的漏极相接；

PMOS管MPb1、电阻R5与NMOS管MNb1串联，连接在电源与地线 之间，具体为：电源与PMOS管MPb1的源极相接；电阻R5的一端与PMOS 管MPb1的漏极相接，并且还与PMOS管MPb2的栅极相接，另一端与NMOS 管MNb1的漏极相接，并且还与PMOS管MPb1的栅极相接，NMOS管MNb1 的源极与地线相接；NMOS管MNb1的栅极与NMOS管MNb2的栅极相接；

PMOS管MPb3的源极与电源相接，PMOS管MPb3的栅极与PMOS管 MPb2的栅极相接，PMOS管MPb3的漏极作为所述跨导放大器gm1和/或 gm2的电流源产生电路的输出端。

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于：

PMOS管MPb2与PMOS管MPb3的宽度相等，PMOS管MPb2与PMOS 管MPb3的长度也相等；

NMOS管MNb1与NMOS管MNb2的宽度相等，NMOS管MNb1与 NMOS管MNb2的长度也相等。

5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于：所述跨导放大器gm1与 gm2的比值gm1/gm2大于1。

6.一种补偿电路，包括跨导放大器gm1、电阻R1和电容C，所述电阻 R1和电容C串联，电阻R1连接跨导放大器gm1的输出端，电容C连接跨 导放大器gm1的反相输入端，其特征在于：

所述补偿电路还包括电阻R2和跨导放大器gm2，所述电阻R2连接在 跨导放大器gm1的反向输入端与电容C之间，所述跨导放大器gm2的输出 端连接在电阻R2和电容C之间，所述跨导放大器gm2的同相输入端连接在 跨导放大器gm1的反向输入端和电阻R2之间，所述跨导放大器gm2的反相 输入端与跨导放大器gm2的输出端相连。

7.根据权利要求6所述的电路，其特征在于：

所述跨导放大器gm1和/或gm2的输出电阻大于等于1兆欧姆。