[发明专利]一种测量光子晶体孔洞侧壁垂直度的方法

权利要求书

1.一种测量光子晶体孔洞侧壁垂直度的方法，其特征在于，该方法包括：

步骤1：在半绝缘砷化镓衬底上，外延生长一定厚度的AlGaAs牺牲层；

步骤2：在AlGaAs牺牲层上外延生长一定厚度的砷化镓；

步骤3：在砷化镓层上外延生长一定密度InAs量子点；

步骤4：外延生长一定厚度的砷化镓，将InAs量子点埋住；

步骤5：在砷化镓上采用PECVD镀上一层SiO₂薄膜；

步骤6：在SiO₂薄膜上悬涂一层电子束胶；

步骤7：采用电子束曝光法在电子束胶上制作光子晶体图形；

步骤8：采用反应离子刻蚀方法将电子束胶上的光子晶体图形转移至SiO₂上，并去胶；

步骤9：采用SEM对样品进行测试，观测并计算光子晶体孔洞的垂直度。

2.根据权利要求1所述的测量光子晶体孔洞侧壁垂直度的方法，其特征在于，所述外延采用分子束外延方法。

3.根据权利要求1所述的测量光子晶体孔洞侧壁垂直度的方法，其特征在于，步骤1中所述AlGaAs牺牲层的组份为Al_0.7Ga_0.3As，厚度为1000nm。

4.根据权利要求1所述的测量光子晶体孔洞侧壁垂直度的方法，其特征在于，步骤5中所述SiO₂薄膜的厚度为150nm。

5.根据权利要求1所述的测量光子晶体孔洞侧壁垂直度的方法，其特征在于，步骤6中所述电子束胶为ZEP胶，厚度为300nm。

6.根据权利要求1所述的测量光子晶体孔洞侧壁垂直度的方法，其特征在于，步骤9中所述采用SEM对样品进行测试，观测并计算光子晶体孔洞的垂直度，包括：

采用SEM对样品进行测试，获得光子晶体表面图，再旋转一定角度，使SiO₂上光子晶体孔洞上边缘与孔洞相对底部边缘在同一直线上，记下此时旋转角度大小α；根据公式tanθ＝tanβ-tanα计算光子晶体孔洞侧壁的垂直度大小，其中，α为光子晶体孔洞上边缘与相对底部边缘在同一直线上时，对应样品台面与平面之间的夹角；β为理想情况下，即光子晶体孔洞侧壁垂直，孔洞上边缘与相对底部边缘在同一直线上时，对应样品台面与平面之间的夹角；θ为孔洞侧壁与竖直方向的夹角。

7.根据权利要求1所述的测量光子晶体孔洞侧壁垂直度的方法，其特征在于，所述光子晶体平板厚度为200nm，所述InAs量子点置于光子晶体平板中间，所述光子晶体孔洞半径为75nm。