[发明专利]高纯度高密度单晶氮化硅纳米阵列的制备方法无效
| 申请号： | 200910082049.5 | 申请日： | 2009-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN101550600A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 彭志坚;朱娜;王成彪;付志强;于翔;刘宝林 | 申请（专利权）人： | 中国地质大学（北京） |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B23/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纯度 高密度 氮化 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.高纯度高密度单晶氮化硅纳米阵列的制备方法，其特征在于：所述方法通过热解有机前驱体在镀有金属催化剂的基片上合成氮化硅纳米阵列，包括以下步骤：
(1)含氮量超过20at％的聚硅氮烷，在高纯氮气、氩气或者氨气气流下，在200-350℃下交联固化0.5-2小时，得到半透明的以硅、碳、氮为主的非晶固体；
(2)将该半透明的非晶固体在玛瑙容器中捣碎，然后和高耐磨氧化锆磨球混合，在聚氨酯球磨罐中，在高能球磨机上研磨粉碎2-24小时，得到颗粒直径小于0.2μm粉末；
(3)将经球磨的交联固化后的粉末0.5-5.0克放置在刚玉坩埚底，将镀有催化剂的基片置于坩埚内粉末的上方，在氮气或者氨气保护下，在1100-1450℃下加热20分钟到5小时，即可在基片上得到高纯度、高密度的单晶氮化硅纳米阵列。
2.按照权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中的基片为硅片、砷化镓片、蓝宝石片、氮化硅单晶片或氧化铝模板。
3.按照权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中的基片上沉积了一层2-50nm厚的金属催化剂Fe、Co、Ni或Cu薄膜。
4.按照权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中的单晶Si3N4纳米阵列生长的基片离被热解的交联固化粉末的距离为0-50mm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国地质大学（北京），未经中国地质大学（北京）许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910082049.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：水下桥墩墩壁清洗方法及其活动支架
- 下一篇：氧压酸浸法处理锌湿法冶金净化废渣
