[发明专利]制备有序Al纳米颗粒的方法无效
| 申请号： | 200910082081.3 | 申请日： | 2009-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN101871089A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 游经碧;张兴旺;高云;董敬敬;陈诺夫 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;C23C14/14;B22F9/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 有序 al 纳米 颗粒 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备有序Al纳米颗粒的方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)取一衬底；
2)在衬底上旋涂一层聚甲基丙烯酸甲酯；
3)利用电子束曝光在聚甲基丙烯酸甲酯上制备模板，形成所需图案；
4)利用高纯Al靶作为金属Al薄膜沉积的溅射靶，在模板及暴露出的衬底的上面生长Al薄膜；
5)腐蚀掉聚甲基丙烯酸甲酯及模板上面的Al薄膜，保留衬底上面的Al薄膜，完成有序Al纳米颗粒的制备。
2.根据权利要求1所述的制备有序Al纳米颗粒方法，其特征在于，其中衬底的材料为石英玻璃或SiO2。
3.根据权利要求1所述的制备有序Al纳米颗粒方法，其特征在于，其中在模板上生长Al薄膜时的其背景真空度为1×10-5-5×10-5Pa。
4.根据权利要求1所述的制备有序Al纳米颗粒方法，其特征在于，其中在模板上生长Al薄膜时的工作气体为高纯Ar，压强为0.5-2.0Pa。
5.根据权利要求1所述的制备有序Al纳米颗粒方法，其特征在于，其中在模板上生长Al薄膜时的功率为30-80W，时间为5-20min。
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