[发明专利]一种自成像双面套刻对准方法

权利要求书

1.用于双面光刻机中的自成像套刻对准方法，步骤在于：

第一步，样片进行单面曝光，掩模版对准标记同时复制到样片上，经过适当工艺处理，在样片标记处制作反射式波带片，并使样片标记中心点位于波带片光轴上；所述样片的材料对照明光源是透明的；

第二步，安放掩模版和第一步已曝光样片，已曝光面朝下，然后进行样片调平并分离间隙；

第三步，调节光学成像系统调焦机构和掩模-样片精密对准工件台X、Y、θ向调节机构，通过显微镜或CCD成像设备及其成像光学系统，同时获取清晰的掩模版对准标记自身图像和反射式波带片反射形成的掩模版对准标记轮廓图像；

第四步，利用掩模-样片精密对准工件台使样片相对于掩模版做X、Y及θ向运动，实现掩模版和样片的正面套刻对准，并完成对样片另一面的曝光。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：利用反射式波带片成像技术，采用正面套刻对准、单曝光头正面曝光的方法来实现双面对准光刻，所述显微镜或CCD成像设备及其成像光学系统位于所述掩模版及所述样片的正面一侧。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述轮廓图像呈黑色。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述反射式波带片的焦距f与所述样片的厚度d的关系满足：f＝d/2。