[发明专利]一种用碳纳米管实现上下两层导电材料垂直互连的方法有效
申请号: | 200910082900.4 | 申请日: | 2009-04-24 |
公开(公告)号: | CN101562148A | 公开(公告)日: | 2009-10-21 |
发明(设计)人: | 魏芹芹;傅云义;黄如;张兴 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;B82B3/00 |
代理公司: | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 贾晓玲 |
地址: | 100871北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纳米 实现 上下 导电 材料 垂直 互连 方法 | ||
1.一种上、下两层导电材料之间的垂直互连方法,其步骤包括:
1)在基底上制备一包括上、下两水平面的垂直结构;
2)在上述垂直结构上淀积导电材料,形成上、下两个导电层;
3)制备碳纳米管溶液,将该碳纳米管溶液滴到上述垂直结构上,并在上、下导电层之间施加直流电或交流电,碳纳米管的两端分别紧密搭接在两层导电材料上;
4)淀积绝缘介质材料,形成碳纳米管通孔结构,从而实现上、下两层导电材料之间的垂直互连。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤1)中,所述基底采用Si、Ge或GaAs半导体材料。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在步骤2)之前,在所述垂直结构上淀积一绝缘介质层。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤2)中,所述导电材料为高掺杂的Si、Ge、GaAs或金属Ti/Au。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述步骤2)中,所述上导电层和下导电层所采用的导电材料不同。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤3)中,所述碳纳米管溶液是含单壁、双壁、或多壁碳纳米管管束的有机溶液,该有机溶液的溶剂为乙醇、丙酮、正己烷、异丙醇、二甲基甲酰胺或1,2-二氯乙烷。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤4)中,所述绝缘介质材料是SiO2或多孔性低K介质材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学,未经北京大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910082900.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:非梅毒螺旋体实验水平反应装置和使用方法
- 下一篇:一种网络地图显示方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造