[发明专利]一种掩蔽微结构的制备方法

权利要求书

1.一种掩蔽微结构的制备方法，其步骤包括：

1)在硅基片表面制成厚度为1～2μm的二氧化硅掩膜，并图形化，对硅进行深刻蚀，形成微槽或微开口结构；

2)对上述微槽或微开口结构进行表面钝化；

3)刻蚀去掉上述微槽或微开口结构的底部钝化层；

4)对上述微槽或微开口结构的底部进行一定深度的预刻蚀，接着再各向同性刻蚀，形成微流道或微腔室；

5)去掉硅片表面的掩膜，以及微槽或微开口结构侧壁的钝化层；

6)回填上述微槽结构，在硅片内部形成掩蔽的微流道结构，或者回填上述微开口结构，在硅片内部形成掩蔽的微腔室结构。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，上述步骤1)中，用ASE或RIE各向异性干法刻蚀硅，形成微槽结构的宽度尺寸2～4μm。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，上述步骤1)中，用ASE或RIE各向异性干法刻蚀硅，形成微开口结构，该微开口的图形为正方形，该正方形边长尺寸为2～4μm。

4.如权利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，上述步骤2)中，用LPCVD淀积二氧化硅进行微槽或微开口结构的表面钝化，二氧化硅的厚度范围200～300nm。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，上述步骤3)中，用RIE各向异性干法刻蚀微槽或微开口结构的底部钝化层。

6.如权利要求1或5所述的方法，其特征在于，上述步骤4)中，所述预刻蚀为，用ASE各向异性干法刻蚀。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，上述步骤4)中，所述各向同性刻蚀为，用ASE各向同性干法刻蚀。

8.如权利要求4所述的方法，其特征在于，上述步骤5)中，用BHF或HF湿法腐蚀，将硅基片上的二氧化硅完全腐蚀干净。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，上述步骤6)中，用LPCVD淀积二氧化硅，回填上述微槽或微开口结构。