[发明专利]提高电荷存储层表面均匀性的方法无效
| 申请号： | 200910083468.0 | 申请日： | 2009-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN101882581A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 徐美玲;韩永召;陈自凡;蔡信裕 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/311;H01L21/312;H01L21/306;H01L21/8246 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 电荷 存储 表面 均匀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高电荷存储层表面均匀性的方法，该方法包括：
在半导体衬底的电荷存储区和外围电路区上形成电荷存储层结构；
清除所述外围电路区上的电荷存储层结构，所述清除之后所述电荷存储层结构在外围电路区上有残留；
在电荷存储区的电荷存储层结构上形成保护层；
预清洗外围电路区上残留的电荷存储层结构；
去除所述保护层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电荷存储层结构为氧化层-氮化层-氧化层ONO结构。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述ONO结构包括位于顶层的高温氧化层HTO层。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述HTO层的厚度为65埃至100埃之间。
5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述HTO层的厚度为80埃。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用氢氟酸进行所述预清洗。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护层为光阻胶。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述光阻胶的去除采用硫酸和双氧水。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，去除光阻胶之后进一步包括采用盐酸和双氧水来去除杂质的步骤。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护层为多晶硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
