[发明专利]半导体制造工艺流程中掺杂栅极和漏、源极的方法有效
| 申请号： | 200910083470.8 | 申请日： | 2009-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN101882574A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 吴永玉;何学缅;陈海华;刘思南 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/312;H01L21/311;H01L21/265;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 王一斌;王琦 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 工艺流程 掺杂 栅极 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体制造工艺流程中掺杂栅极和漏、源极的方法，在衬底上形成栅极后，该方法包括以下步骤：
在栅极表面以及栅极两侧的衬底表面涂覆底部抗反射涂层BARC，衬底表面涂覆的BARC高于栅极表面；
对高于栅极表面的BARC进行蚀刻，使栅极两侧的衬底表面的BARC至栅极表面，并进行第一次离子注入；
清除所述BARC；
再次进行离子注入。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述注入的离子为N型元素。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述N型元素为磷或砷。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述注入的离子为P型元素。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述P型元素为硼或铟。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当在栅极表面以及栅极两侧的衬底表面涂覆底部抗反射涂层BARC时，所述BARC的上表面与衬底表面的距离的范围为2000埃到5000埃。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一次离子注入的能量范围为1000eV到10000eV；
所述第二次离子注入的能量小于25000eV。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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