[发明专利]一种制作晶硅高效太阳能电池的方法有效

专利信息
申请号: 200910083501.X 申请日: 2009-05-06
公开(公告)号: CN101882643A 公开(公告)日: 2010-11-10
发明(设计)人: 贾锐;朱晨昕;陈晨;李维龙;李昊峰;张培文;刘明;刘新宇;叶甜春 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周国城
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 制作 高效 太阳能电池 方法
【权利要求书】:

1.一种制作晶硅高效太阳能电池的方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤1、在晶硅基片表面制备绒面结构;

步骤2、采用扩散法在晶硅基片上形成PN结结构;

步骤3、利用薄膜沉积技术及热处理在表面形成硅纳米晶结构;

步骤4、利用等离子增强化学气相淀积法在基片表面淀积氮化硅减反膜;

步骤5、丝网印刷完成正、负电极的制作;

步骤6、合金化,最终形成表面硅纳米晶调制的太阳能电池。

2.根据权利要求1所述的制作晶硅高效太阳能电池的方法,其特征在于:步骤1中所述晶硅基片为生产中所使用的P型标准片,单晶硅片尺寸为125×125cm2(截角),多晶硅片尺寸为156×156cm2,采用化学溶液湿法腐蚀出金字塔形的绒面结构。

3.根据权利要求1所述的制作晶硅高效太阳能电池的方法,其特征在于:步骤2中所述扩散法是利用液态三氯氧磷为扩散源形成PN结,结深控制在200~500nm,扩散后去边。

4.根据权利要求1所述的制作晶硅高效太阳能电池的方法,其特征在于:步骤3中所述在表面形成硅纳米晶结构,是利用磁控溅射或者电子束蒸发技术在晶硅基片表面淀积一层硅薄膜,并通过快速热退火的方式形成大小、密度可控的硅纳米晶。

5.根据权利要求1所述的制作晶硅高效太阳能电池的方法,其特征在于:步骤4中所述等离子增强化学气相淀积法,是在形成硅纳米晶结构后的基片表面淀积氮化硅减反膜,氮化硅减反膜的厚度在70nm~120nm之间。

6.根据权利要求1所述的制作晶硅高效太阳能电池的方法,其特征在于:步骤5中所述电极的制作,是对背面进行印刷铝银浆料,在正面丝网印刷银浆料,形成电池的正、负电极。

7.根据权利要求1所述的制作晶硅高效太阳能电池的方法,其特征在于:步骤6中所述合金化过程,是经过高温烧结,无特殊气氛保护,最终形成表面硅纳米晶调制晶硅高效太阳能电池。

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