[发明专利]一种采用多模干涉耦合的光延时器无效
申请号: | 200910083504.3 | 申请日: | 2009-05-06 |
公开(公告)号: | CN101881859A | 公开(公告)日: | 2010-11-10 |
发明(设计)人: | 周静涛;申华军;张慧慧;刘新宇 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G02B6/26 | 分类号: | G02B6/26 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 采用 干涉 耦合 延时器 | ||
1.一种采用多模干涉耦合的光延时器,其特征在于,该光延时器采用全通滤波器结构,该全通滤波器结构是若干个微环谐振腔依次与总线波导耦合的结构,其中微环谐振腔与总线波导之间的耦合段为2×2多模干涉耦合器。
2.根据权利要求1所述的采用多模干涉耦合的光延时器,其特征在于,所述多模干涉耦合结构采用硅基微纳米线波导作为输入输出波导,根据多模干涉自成像理论的重叠成像条件设计2×2多模干涉耦合器。
3.根据权利要求1所述的采用多模干涉耦合的光延时器,其特征在于,根据多模干涉自成像理论的一般重叠成像条件,通过调节多模干涉耦合器的结构参数改变耦合器的分光比,进而调节微环谐振腔的带宽与光延时。
4.根据权利要求1所述的采用多模干涉耦合的光延时器,其特征在于,该光延时器采用以下材料体系:SOI基、有机聚合物、氮化硅/氧化硅、氮氧化硅/氧化硅,以及无定形硅/氧化硅。
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