[发明专利]一种制备SiCp和SiCw混杂增强/Al复合材料的方法有效
申请号: | 200910083656.3 | 申请日: | 2009-05-06 |
公开(公告)号: | CN101691646A | 公开(公告)日: | 2010-04-07 |
发明(设计)人: | 任淑彬;曲选辉;何新波;沈晓宇;秦明礼 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | C22C47/08 | 分类号: | C22C47/08;C22C49/14;C22C49/06;C22C1/00;C22C21/02 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制备 sicp sicw 混杂 增强 al 复合材料 方法 | ||
1.一种制备SiCp和SiCw混杂增强/Al复合材料的方法,其特征是先采用粉末注射成形的方法制备一个全部由SiCp组成的多孔预制坯,然后用浓度为5~50wt%的聚碳硅烷-二甲苯溶液浸渍由SiCp组成的多孔预制坯,浸渍完毕后将多孔预制坯放入氮气气氛中进行裂解,得到由SiCp+SiCw混合组成的预制坯,最后采用熔渗工艺将预制坯与Al进行复合,制得SiCp+SiCw混杂增强Al复合材料。
2.如权利要求1所述一种制备SiCp和SiCw混杂增强/Al复合材料的方法,其特征是具体加工工艺为:首先将粒度为10~120μm的SiC粉末与石蜡有机粘结剂按照体积比45~65∶55~35的比例在双辊混炼机上于130-150℃条件下混合均匀,然后再将混合物在10-30MPa的压力、120-150℃温度条件下成形,得到一个由SiCp和石蜡有机粘接剂组成的坯体;然后再于300-500℃条件下将坯体中的石蜡有机粘结剂脱除,得到一个全部由SiCp组成的多孔预制坯;然后再采用浓度为5~50wt%的聚碳硅烷-二甲苯溶液浸渍该多孔预制坯,浸渍压力为10~100Pa;将经过浸渍的SiCp多孔预制坯放入氮气气氛中进行裂解,裂解温度为1200℃,裂解时间为30-120分钟,孔隙中的聚碳硅烷经过高温裂解成SiCw,SiCw占据浸渍前SiCp预成形坯的孔隙,裂解后,预制坯由原来单一的SiCp组成变成了由SiCp+SiCw混合组成;最后采用压力熔渗或无压熔渗的方法将SiCp+SiCw混合组成的预制坯与Al进行复合,最终得到由SiCp+SiCw混杂增强Al复合材料;压力熔渗条件为:温度600~750℃,压力0.5~2MPa;无压熔渗条件:为温度900~1100℃,氮气气氛。
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