[发明专利]基于强关联电子体系的有机太阳能电池及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200910083709.1 申请日: 2009-05-08
公开(公告)号: CN101562231A 公开(公告)日: 2009-10-21
发明(设计)人: 肖立新;罗佳秀;陈志坚;龚旗煌 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 李稚婷
地址: 100871北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 基于 关联 电子 体系 有机 太阳能电池 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种有机太阳能电池,包括阳极、空穴缓冲层、光活性层和阴极,其特征在于,在光活性层与阴极之间还包括一层材料为强关联电子体系化合物的电子缓冲层,所述强关联电子体系化合物为氧化物型的强关联体系化合物或有机强关联体系化合物,所述氧化物型的强关联体系化合物选自下列化合物中的一种或多种:氧化锰、氧化镍、氧化钴、三氧化二钒和高温超导体的铜氧化合物;所述有机强关联体系化合物选自下列化合物中的一种或多种:(4,4’,5,5’-双二硫乙撑基四硫代富瓦烯)高氯酸盐、四甲基四硒代富瓦烯高氯酸盐和(4,4’,5,5’-双二硫乙撑基四硫代富瓦烯)高铼酸盐。

2.如权利要求1所述的有机太阳能电池,其特征在于,所述电子缓冲层的厚度为1-10nm。

3.如权利要求2所述的有机太阳能电池,其特征在于,所述电子缓冲层的厚度为3-4nm。

4.如权利要求1所述的有机太阳能电池,其特征在于,所述阳极的材料为铟锡氧化物、氟锡氧化物或铝锌氧化物。

5.如权利要求1所述的有机太阳能电池,其特征在于,所述空穴缓冲层的材料为聚(3,4-乙撑二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸)、自组装膜、聚乙烯氧化物、氧化镍、氧化银、氧化钼、氧化锌、金和铂中的一种。

6.如权利要求1所述的有机太阳能电池,其特征在于,所述光活性层的材料为P3HT:PCBM共混体系,或者聚对苯乙烯类与富勒烯双层,或者酞氰锌、酞氰锡或酞氰铜与富勒烯双层。

7.如权利要求1所述的有机太阳能电池,其特征在于,所述阴极材料为铝、镁银合金、锂铝合金或钙铝合金。

8.制备权利要求1~7中任意一种有机太阳能电池的方法,包括以下步骤:

1)在阳极上蒸镀或溶液旋涂空穴缓冲层;

2)在空穴传输层上蒸镀或溶液旋涂光活性层;

3)在光活性层上蒸镀或溶液旋涂一层强关联电子体系化合物作为电子缓冲层;

4)在电子缓冲层上蒸镀阴极。

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