[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种液晶显示器及其制造方法，尤其是一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。

背景技术

由于薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，近年来得到了迅速地发展，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。液晶面板是TFT-LCD中最重要的部件之一，主要包括对盒在一起并将液晶夹设其间的阵列基板和彩膜基板。目前，制造阵列基板是通过一组构图工艺形成结构图形来完成，一次构图工艺形成一层结构图形，对于TFT-LCD来说，TFT-LCD阵列基板以及制造工艺决定了其产品性能、成品率和价格。为了有效地降低TFT-LCD的价格、提高成品率，TFT-LCD阵列基板的制造工艺逐步得到简化，从开始的七次构图(7mask)工艺已经发展到基于采用半色调或灰色调掩模板的四次构图(4mask)工艺。

现有技术TFT-LCD结构中，彩膜基板上设置有用于遮挡漏光的黑矩阵图形。目前，黑矩阵通常采用不透明的金属铬膜，金属铬膜对光具有很好的反射性，来自背光源的光照射到金属铬膜上后会发生反射，而且部分反射光会照射到TFT沟道区域的半导体层上。由于半导体层是一种光敏材料，被光照射时会产生漏电流，该漏电流会增加TFT关断电流I_off，从而减少像素电荷保持时间，在很大程度上影响了显示灰度等级变化，严重时会使显示图像发生闪烁现象，因此现有技术TFT-LCD阵列基板的结构存在影响显示质量的缺陷。

由存储电容公式可知，单位面积存储电容的大小与两个电极板之间的距离成反比，距离越大，单位面积存储电容越小。目前，现有技术TFT-LCD阵列基板通常采用栅线或与栅线同层的公共电极线作为存储电容的一个电极板，形成在钝化层上的像素电极作为存储电容的另一个电极板，存储电容两个电极板之间的距离为栅绝缘层和钝化层的厚度之和，距离较大，因此现有TFT-LCD阵列基板的结构存在单位面积存储电容较小的缺陷。

发明内容

本发明的目的是提供一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，有效解决现有TFT-LCD阵列基板的结构存在影响显示质量和单位面积存储电容较小等技术缺陷。

为了实现上述目的，本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板，包括栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成有像素电极和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的TFT沟道区域的上方形成有遮挡层。

所述像素电极与薄膜晶体管的源电极和漏电极在同一次构图工艺中形成，源电极和漏电极的下方保留有透明导电薄膜，漏电极下方的透明导电薄膜与像素电极为一体结构，形成像素电极与漏电极直接连接的结构。

在上述技术方案基础上，所述像素区域内还形成有与所述像素电极构成存储电容的公共电极线。所述公共电极线与栅线同层设置并在同一次构图工艺中形成，或所述公共电极线与遮挡层同层设置并在同一次构图工艺中形成。

为了实现上述目的，本发明还提供了一种TFT-LCD阵列基板制造方法，包括：

步骤1、在基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅线和栅电极的图形；

步骤2、在完成步骤1的基板上连续沉积栅绝缘层、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜，通过构图工艺形成包括有源层的图形；

步骤3、在完成步骤2的基板上连续沉积透明导电薄膜和源漏金属薄膜，采用半色调或灰色调掩模板通过构图工艺形成包括像素电极、数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的图形，所述像素电极与漏电极直接连接；

步骤4、在完成步骤3的基板上沉积钝化层和遮挡薄膜，采用半色调或灰色调掩模板通过构图工艺形成包括遮挡层、栅线接口过孔和数据线接口过孔的图形，所述遮挡层位于所述TFT沟道区域的上方。