[发明专利]一种硅基有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种硅基有机电致发光器件，包括衬底、阳极、发光层和阴极，其特征是，所述阳极是一含产生中心的n-Si薄膜电极。

2.如权利要求1所述的硅基有机电致发光器件，其特征在于，所述产生中心为Au。

3.如权利要求1所述的硅基有机电致发光器件，其特征在于，所述含产生中心的n-Si薄膜电极直接位于衬底之上，厚度为15-100纳米。

4.如权利要求1所述的硅基有机电致发光器件，其特征在于，所述衬底和阳极之间还包括一导电薄层，含产生中心的n-Si薄膜电极沉积在该导电薄层上，所述导电薄层的厚度为0.3-300纳米，含产生中心的n-Si薄膜电极的厚度为1-50纳米。

5.如权利要求1所述的硅基有机电致发光器件，其特征在于，该器件还包括下述结构中的一种或多种：空穴传输层、电子传输层、空穴注入或控制层和电子注入或控制层；其中，空穴传输层位于阳极和发光层之间，电子传输层位于发光层和阴极之间，空穴注入或控制层位于阳极和空穴传输层之间，电子注入或控制层位于电子传输层和阴极之间。

6.如权利要求1所述的硅基有机电致发光器件，其特征在于，所述衬底为透明衬底，在透明衬底的背面具有一底部反射镜。

7.一种硅基有机电致发光器件的制备方法，依次包括以下步骤：

1)清洗衬底；

2)在衬底正面溅射n型非晶硅和用于硅诱导晶化的金属；

3)在200～800℃条件下进行诱导晶化，形成n-Si薄膜；

4)在n-Si薄膜中引入产生中心，形成含产生中心的n-Si薄膜电极作为器件的阳极；

5)在含产生中心的n-Si薄膜电极上，依次制备器件的其他结构。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤2)直接在衬底正面上溅射n型非晶硅和用于硅诱导晶化的金属；或者，先在衬底正面上溅射或蒸镀或沉积一导电薄层，然后再在该导电薄层上溅射n型非晶硅和用于硅诱导晶化的金属。

9.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，步骤4)在n-Si薄膜中引入产生中心的方法是：先在n-Si薄膜上蒸镀作为产生中心的金属，得到覆盖产生中心金属层的硅薄膜，然后于300-650℃的条件下进行所述金属层的扩散，得到含有产生中心的n-Si薄膜电极；或者，采用电子辐照方法在n-Si薄膜中引入产生中心。

10.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述衬底为透明衬底，在步骤4)和步骤5)之间增加一步骤：在透明衬底背面真空蒸镀高反射率材料形成底部反射镜。