[发明专利]一种在瓦楞辊表面注渗氮化硼特种陶瓷的方法无效
申请号: | 200910084986.4 | 申请日: | 2009-06-05 |
公开(公告)号: | CN101906605A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
发明(设计)人: | 杨金龙;刘炜;陈立辉;陈俊忠;肖武 | 申请(专利权)人: | 清华大学;深圳市东方企业有限公司 |
主分类号: | C23C8/36 | 分类号: | C23C8/36 |
代理公司: | 北京申翔知识产权代理有限公司 11214 | 代理人: | 周春发 |
地址: | 100084 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 瓦楞 表面 氮化 特种 陶瓷 方法 | ||
1.一种在瓦楞辊表面注渗氮化硼特种陶瓷的方法,其特征在于包括以下步骤:
步骤1:配制固体渗硼剂,所述固体渗硼剂由供硼剂、活化剂和填充剂三部分组成;
步骤2:将上述步骤1中配制的固体渗硼剂均匀地涂抹在瓦楞辊表面,置于真空等离子热处理炉中,准备进行渗硼处理;瓦楞辊与真空等离子热处理炉的阴极相连;
步骤3:将上述步骤2中的真空等离子热处理炉密封,开启真空系统,抽真空,真空室的极限真空度范围在133×10-2~5×133×10-1Pa;之后通入氩气,达到工作气压为10~80Pa;
步骤4:启动真空等离子热处理炉的电源,真空炉内形成异常的辉光放电,产生活性硼离子,硼离子在辉光放电空间内各种等离子体的作用下,吸附在基体表面,夺取电子形成硼原子,并向基体内扩散,在极限溶解度之内,硼原子以溶质的形式存在于基体内;
步骤5:提高工件电源电压,加大工件电流,使工件逐步升温,并保温;
步骤6:保温结束后,切断真空等离子热处理炉的辉光电源,关闭阀门停止供气和抽气,工件冷却;
步骤7:保持空心阴极真空炉内的瓦楞辊位置不变,排出保护气氩气,将真空室抽至真空度5~15Pa后,充入氮气与氢气的混合气,其中氮气含量的体积分数为25%~35%,混合气气压保持在(1~10)×133Pa之间;
步骤8:再次启动真空等离子热处理炉的电源,炉内形成辉光放电,产生活性氮离子,氮离子在高压电场的作用下,高速轰击工件表面,夺取工件表面的电子后逐渐成为氮原子,被工件表面吸收,并向内扩散,在此条件下,氮原子与之前渗透的硼原子均具有很高的活性,故两者极易在瓦楞辊表面结合,发生化学反应,形成氮化硼陶瓷层;
步骤9:提高工件电源电压,加大工件电流,使工件逐步升温,并保温渗氮;
步骤10:保温结束后,切断辉光电源,关闭阀门停止供气和抽气,工件冷却;
步骤11:取出工件,两端安装轴头后即可使用。
2.如权利要求1所述的一种在瓦楞辊表面注渗氮化硼特种陶瓷的方法,其特征在于,供硼剂占渗硼剂质量的40-50%,填充剂占渗硼剂质量的30-50%,活化剂占渗硼剂质量的10-30%。
3.如权利要求1或2所述的一种在瓦楞辊表面注渗氮化硼特种陶瓷的方法,其特征在于:
供硼剂为碳化硼和硼砂的混合物,其中碳化硼的质量分数为3%~5%,其余为硼砂;
活化剂为选择氟化钠、氟化钙、氟硼酸钾、氟硼酸钠、氟硅酸钠和氟铝酸钠中的一种或混合物;
填充剂为碳化硅。
4.如权利要求1所述的一种在瓦楞辊表面注渗氮化硼特种陶瓷的方法,其特征在于,步骤5中的设备整流输出电流为100~150A,工件表面的电流密度为0.5mA/cm2~5mA/cm2,温度为550℃~750℃,并保温,保温时间为2~4h。
5.如权利要求1所述的一种在瓦楞辊表面注渗氮化硼特种陶瓷的方法,其特征在于,步骤9中的设备放电电压400~800V,电流密度为0.5~15mA/cm2,温度为500℃~600℃,并保温渗氮,渗氮时间为10min~48h。
6.如权利要求1所述的一种在瓦楞辊表面注渗氮化硼特种陶瓷的方法,其特征在于,步骤6及步骤10中的冷却温度为室温。
7.如权利要求1所述的一种在瓦楞辊表面注渗氮化硼特种陶瓷的方法,其特征在于,步骤1取得的固体渗硼剂与粘结剂松香混合调成膏状后,再进行步骤2。
8.如权利要求1所述的一种在瓦楞辊表面注渗氮化硼特种陶瓷的方法,其特征在于,于步骤2涂抹固体渗硼剂前先将瓦楞辊淬火处理。
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