[发明专利]一种射频推挽功率放大器

权利要求书

1.一种射频推挽功率放大器，包括推挽功率晶体管、分别与该推挽功率晶体管相连的输入匹配网络、输出匹配网络，以及分别通过输入匹配网络、输出匹配网络给推挽功率晶体管供电的供电偏置电路四部分；该供电偏置电路与外部直流电源相连；所述输入匹配网络、输出匹配网络和供电偏置电路制作在印刷电路板上，该印刷电路板安装在一个金属散热器表面上并与该金属散热器相接触；所述推挽功率晶体管直接安装在该金属散热器表面上并与该金属散热器相接触；所述输入匹配网络包括输入巴伦阻抗变换器及输入匹配电路；所述输出匹配网络包括输出巴伦阻抗变换器及输出匹配电路；其特征在于，所述输出巴伦阻抗变换器包括一组同轴电缆，该组同轴电缆包括一根U形同轴电缆和两根相同的直段同轴电缆，该两根直段同轴电缆相互平行且端头对齐水平安装在所述印制电路板上；两根直段同轴电缆之间的距离与U形同轴电缆的两直线段之间的距离相等，所述U形同轴电缆水平层叠在两根直段同轴电缆上方，该U形同轴电缆的两直线段的外导体分别与所述两根直段同轴电缆的外导体平行重叠接触，U形同轴电缆的两直线段的两端头分别与两根直段同轴电缆的同侧的端头对齐，并且至少相互接触的两端头部位焊接相连；所述U形同轴电缆两端头内导体分别与和U形同轴电缆另一端头接触的直段同轴电缆端头的内导体相连接；所述U形同轴电缆的两个端头的外导体为两个低阻平衡端口；该两根直段同轴电缆的另外两个端头中的一个内导体接地，另一个内导体作为高阻不平衡端口；该U形同轴电缆外导体的中点接直流电源且通过电容射频接地。

2.如权利要求1所述的射频推挽功率放大器，其特征在于，所述输出巴伦阻抗变换器还包括两根相互绝缘的导线，所述每根导线将该U形同轴电缆的一个端头的内导体与和U形同轴电缆另一端头接触的直段同轴电缆端头的内导体相连接。

3.如权利要求2所述的射频推挽功率放大器，其特征在于，所述两根相互绝缘的导线采用两根外包裹绝缘层的或由空气绝缘的金属连接线或金属连接片；或采用一块双面印制电路板，在该双面印制电路板的两个表面分别印制一根金属导带，并将U形同轴电缆端头的内导体、直段同轴电缆端头的内导体焊接在该双面印制电路板相应的金属导带两端。

4.如权利要求2所述的射频推挽功率放大器，其特征在于，还包括在所述U形同轴电缆上面重叠一根或多根形状相同、尺寸相同的U形同轴电缆，并且每增加一根U形同轴电缆的同时，增加一条金属连接线，并使增加的U形同轴电缆的内导体与原有的U形同轴电缆的内导体和直段同轴电缆的内导体一起连接成一根导体。

5.如权利要求1所述的射频推挽功率放大器，其特征在于，所述输出巴伦阻抗变换器下对应部位的印制电路板的两面覆铜层被去除，或该部位的印制电路板被去除。

6.如权利要求5所述的射频推挽功率放大器，其特征在于，还包括与所述输出巴伦阻抗变换器下对应部位的印制电路板相接触的金属散热器表面被去除一层，使所述输出巴伦阻抗变换器与金属散热器之间增加一空气介质层。

7.如权利要求1、2、3、5或6所述的射频推挽功率放大器，其特征在于，所述输入 巴伦阻抗变换器包括一组同轴电缆和一个铁氧体双孔磁柱，所述一组同轴电缆包括一根U形同轴电缆和两根相同的直段同轴电缆，该两根直段同轴电缆分别穿过铁氧体双孔磁柱水平的两个孔；U形同轴电缆的两个直段部分同样穿过该铁氧体双孔磁柱的这两个孔并水平地重叠在所述两直段同轴电缆的上方，该U形同轴电缆的两直线段的外导体分别与两根直段同轴电缆的外导体相互接触，并且至少U形同轴电缆的两端头外导体分别与两根直段同轴电缆相接触的两端头外导体焊接在一起；所述U形同轴电缆两端头内导体与相对侧的直段同轴电缆端头的内导体相连；该U形同轴电缆的两个端头的外导体为两个低阻平衡输出端口；一个直段同轴电缆的另外一个端头的内导体接地，另一个直段同轴电缆的另外一个端头的内导体作为高阻不平衡输入端口；U形同轴电缆外导体的中点通过电阻接直流电源且通过电容射频接地。

8.如权利要求7所述的射频推挽功率放大器，其特征在于，所述射频推挽功率放大器包括平衡部分，该平衡部分包括输入匹配网络中的输入巴伦阻抗变换器和栅极供电滤波器、射频功率推挽晶体管、输出匹配网络中的平衡型匹配段以及输出巴伦阻抗变换器和漏极供电滤波器，结构上均对称分布，对称轴线穿过输入巴伦阻抗变换器的中点、推挽功率晶体管的中点和输出巴伦阻抗变换器的中点；且对称分布的元器件物理参数一致。