[发明专利]对二元光罩的抗反射层损伤修复的方法无效
申请号: | 200910085335.7 | 申请日: | 2009-05-21 |
公开(公告)号: | CN101893818A | 公开(公告)日: | 2010-11-24 |
发明(设计)人: | 刘戈炜 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F1/08 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 牛峥;王丽琴 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 二元 反射层 损伤 修复 方法 | ||
1.一种对二元光罩的抗反射层损伤修复的方法,包括:
在用于放置二元光罩BIM的反应腔中,通入臭氧水。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在该方法之前,还包括:
对二元光罩BIM进行测试,判断二元光罩中的铬的氧化层出现损伤。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述二元光罩中的铬的氧化层出现损伤的面积大于2微米乘以2微米,小于等于5微米乘以5微米时,所述在通入臭氧水之前或同时,该方法还包括:对二元光罩BIM进行曝光。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述曝光采用172纳米波长的紫外光。
5.如权利要求3或4所述的方法,其特征在于,所述曝光分两次进行,每次的时间大于等于10分钟。
6.如权利要求1或3所述的方法,其特征在于,所述通入臭氧水的浓度大于等于百万分之85。
7.如权利要求1、3或4所述的方法,其特征在于,所述通入臭氧水的时间大于等于10分钟。
8.如权利要求1或3所述的方法,其特征在于,该方法还包括:
对BIM采用超纯净水进行清洗。
9.如权利要求1或3所述的方法,其特征在于,所述BIM包括不透光层和透光层,其中,透光层为石英膜版;不透光层由铬层和铬的氧化层组成。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备